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公开(公告)号：CN114427114B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210086342.4
申请日：2022-01-25
申请人： 云南大学
摘要： 本发明属于量子点技术领域，提供了一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用。本发明提供的锰碲掺杂锗量子点，相比MnxGe1‑x量子点掺杂了碲，碲的掺杂减少了Mn沉淀析出相的含量，提高了离子相(Mn2+)的掺杂量，进而提高了所得锰碲掺杂锗量子点的居里温度和磁矩，进而使其能够更好地作为半导体材料应用于自旋场效应晶体管和储存器中。实施例表明，本发明的锰碲掺杂锗量子点的密度为300～625/μm‑2，居里温度为27～319K(超过室温)，剩磁为0.5×10‑5～1.6×10‑5emu/mm2，矫顽力为182～307Oe，磁饱和强度为3000～6150Oe。
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公开(公告)号：CN114427114A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210086342.4
申请日：2022-01-25
申请人： 云南大学
摘要： 本发明属于量子点技术领域，提供了一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用。本发明提供的锰碲掺杂锗量子点，相比MnxGe1‑x量子点掺杂了碲，碲的掺杂减少了Mn沉淀析出相的含量，提高了离子相(Mn2+)的掺杂量，进而提高了所得锰碲掺杂锗量子点的居里温度和磁矩，进而使其能够更好地作为半导体材料应用于自旋场效应晶体管和储存器中。实施例表明，本发明的锰碲掺杂锗量子点的密度为300～625/μm‑2，居里温度为27～319K(超过室温)，剩磁为0.5×10‑5～1.6×10‑5emu/mm2，矫顽力为182～307Oe，磁饱和强度为3000～6150Oe。
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公开(公告)号：CN110943272A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911413966.7
申请日：2019-12-31
申请人： 云南大学
IPC分类号： H01P1/203
摘要： 本发明公开了一种“卐”字形MDS的HMSIW超宽带带通滤波器，包括介质板以及介质板下表面的接地金属贴片，介质板上表面的微带传输线组、微带馈线组、“卐”字型缺陷结构组和“L”型缺陷结构组，以及连接微带传输线组和接地金属贴片的金属圆柱，金属圆柱贯穿插入介质板中。本设计的UWB滤波器通过在半模基片集成波导的上金属表面微带线上，引入一种新型的“卐”字形缺陷结构，该周期性结构具有宽阻带低通特性，结合HMSIW的高通传输特性就能实现带通的设计。本发明结构新颖简单，易于集成，制作成本低廉。
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公开(公告)号：CN108373136A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810207326.X
申请日：2018-03-14
申请人： 云南大学
摘要： 本发明涉及一种非密排有序聚苯乙烯纳米球模板的制备方法，属于纳米结构制备技术领域。具体包括：将硅片清洗后，使硅片表面氢钝化；在硅片上自组装单层密排聚苯乙烯纳米球薄膜，然后利用正入射的Ar+离子束轰击不同直径的纳米球薄膜，束流密度为0.85 mA/cm2~3.0 mA/cm2，Ar+能量为0.5 keV~1.0 keV，轰击时间为5 min~28 min；离子束轰击后，纳米球的直径减小，而其位置不改变，可获得非密排有序聚苯乙烯纳米球模板。模板中纳米球的尺寸和周期由聚苯乙烯纳米球的初始直径和轰击条件调节。纳米球的刻蚀速率可调控为6.19 nm/min~17.32 nm/min，对比发现离子束刻蚀技术具有低刻蚀速率的优点，有利于控制小尺寸聚苯乙烯纳米球模板的质量。本发明是一种低成本、工艺简单、高稳定性的非密排有序聚苯乙烯纳米球模板的制备方法，该模板可以应用到有序纳米线、纳米柱、纳米孔和纳米网格阵列的研发领域。
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公开(公告)号：CN107331716A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710519733.X
申请日：2017-06-30
申请人： 云南大学
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/028 , H01L31/035218 , H01L31/1804
摘要： 本发明属于半导体纳米复合材料制备技术领域，特别是涉及一种高温石墨烯基底上直接生长Ge量子点的方法。本发明采用溅射沉积技术，在高温条件下的石墨烯基的衬底上，直接溅射生长Ge量子点，溅射生长时间为100 s~500 s。本发明通过工艺简单的溅射沉积技术在高温石墨烯基的衬底上直接生长出了结晶性好、高密度、尺寸均匀的Ge量子点，有效地解决了室温下制备的Ge点不结晶、低密度、尺寸大、均匀性差的不足，为高性能红外光电探测器等半导体光电器件的研发提供了有效途径。
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公开(公告)号：CN106153209A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610548873.5
申请日：2016-07-13
申请人： 云南大学
摘要： 本发明目的在于提供一种材料生长设备中温控系统表显温度和材料实际生长温度间偏差的校订方法，适用于为各种溅射设备配置的加热控温系统。该方法利用金属在一定条件下具有已知固定熔点的特性，将金属薄片挤压贴合于基片表面，通过加热系统缓慢加热，观看金属熔化确定基片表面真实温度为金属熔点，并记录熔化时对应的温控系统表显温度，获得该设备在一定条件下温控系统表显温度和基片表面材料实际生长温度间的温差变化规律。该方法通过改造加热装置中热电偶和样品托的间距，实现了降低温差的目的。本发明成本低廉、操作简单、对设备零损伤、数据准确可重复、方法适用性广，为材料的生长研究获得准确的温度参数提供了重要保障。
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公开(公告)号：CN105609412A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610166858.4
申请日：2016-03-23
申请人： 云南大学
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/324 , H01L21/203 , C23C14/35 , H01L29/45
CPC分类号： H01L21/28 , C23C14/35 , H01L21/324 , H01L29/456
摘要： 本发明涉及一种磁控溅射联合快速退火技术高效制备Al-Si+欧姆接触电极的方法，属于半导体材料的制备技术领域。本发明基于超高真空磁控溅射技术，以Ar气为工作气体，在真空度为3.0×10-4Pa时，首先采用射频溅射技术于一定温度条件下生长一定厚度Al薄膜，然后利用快速退火炉对Al薄膜进行快速退火处理获得Al-Si+欧姆接触电极。该方法提高了制备Al-Si+欧姆接触电极的速度，而且克服了真空蒸镀方法和电子束蒸发方法中生只能溅射低熔点、高蒸汽压的元素和化合物，而且溅射薄膜与基片之间的附着性差，溅射薄膜密度低的缺点,获得的Al-Si+欧姆接触电极具有薄膜纯度高，镀膜易于控制，沉积速率快，镀膜面积大，线性接触良好及稳定等优点，且设备简单、使用和维护成本低。因而该方法是一种简单高效、易于产业化推广的Al-Si+欧姆接触电极制备方法。
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公开(公告)号：CN101866832A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010181934.1
申请日：2010-05-25
申请人： 云南大学
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/34
摘要： 本发明涉及一种缓冲层填埋断续生长尺寸高均匀单层Ge量子点的方法，属半导体量子材料制备技术领域。本发明的单层Ge量子点的方法采用离子束溅射技术，通过转动高纯Ge靶材和高纯Si靶材的位置，在预处理后的硅基底材料上断续生长厚度为20nm～60nm的Si缓冲层，再在Si缓冲层上断续自组织生长厚度为2.0nm～3.0nm的单层Ge量子点。本发明通过断续生长，有效解决了制备量子点材料存在量子点需要多层生长来调控量子点尺寸均匀性，以及量子点的结晶、可控性差、高宽比低、及Ge/Si互混严重不足，获得能用于制作量子点器件的量子点材料，且生产成本低，可控性好，易于产业化生产，是制备量子点的一种简易而高效的方法。
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公开(公告)号：CN114752887A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210563331.0
申请日：2022-05-20
申请人： 云南大学
摘要： 本发明提供了一种利用磁控共溅射技术制备MnGe铁磁性量子点材料的方法，涉及稀磁掺杂量子点材料技术领域。本发明采用磁控共溅射技术，利用较小的溅射功率、较薄的沉积厚度和合理的退火过程为MnGe铁磁性量子点带来足够的表面迁移时间、增强原子的迁移扩散能力，从而避免团簇的产生、提高结晶度。具体的，量子点能够进行自组装生长是由于：Si、Ge界面的晶格失配会带来应变能的释放，本发明中，小的溅射功率与高的退火温度可增加Si‑Ge界面处的晶格失配度，有利于量子点的自组装生长。
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公开(公告)号：CN114455832A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210170061.7
申请日：2022-02-24
申请人： 云南大学
摘要： 本发明提供了一种光学玻璃及其制备方法和在植物光肥通用光源中的应用，属于发光材料技术领域。本发明所制备的光学玻璃在250～450nm波长的光激发下，可获得发射波长为350～900nm的超宽带发光，且可以实现波长范围350nm至900nm的宽带可调荧光，在激光激发下具有高效的响应特性，发射峰位可调，发光强度较高，高度匹配叶绿素和胡萝卜素对光照的需求，为植物光合作用提供所需要的能量，且能量利用率较高，能促进植物生长，加快其生长周期。
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