公开(公告)号：CN115029783B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202210496774.2

申请日：2022-05-09

申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 ,  云南中科鑫圆晶体材料有限公司 ,  云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

发明人： 韩家贤 ,  邱锋 ,  许天 ,  惠峰 ,  韦华 ,  赵兴凯 ,  王顺金 ,  柳廷龙 ,  刘汉保 ,  黄平 ,  何永彬 ,  叶晓达

IPC分类号： C30B29/40 ,  C30B11/00

摘要： 基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法，涉及一种VB法与VGF法结合砷化铟晶体生长装置、装料方法以及晶体生长工艺。所述的生长装置，由加热炉体、热场系统、支撑系统、容器系统和坩埚下降装置组成，所述生长方法，包括装料、装炉、化料、接籽晶、放肩、等径生长、冷却退火步骤。所述的装料容器分为上坩埚、下坩埚和石英安瓿瓶，利用锥形料、圆饼料和梯型料合理的搭配设计，不但能使装料结构稳定、还有助于高温时很好的化料，可以有效提高成晶率31%，通过砷化铟多晶的合成、装料、单晶生长获得籽晶胚、籽晶胚加工获得籽晶，再进行单晶生长，最终生长远低于LEC生长的低位错的砷化铟单晶。

公开(公告)号：CN115029783A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210496774.2

申请日：2022-05-09

申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 ,  云南中科鑫圆晶体材料有限公司 ,  云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

发明人： 韩家贤 ,  邱锋 ,  许天 ,  惠峰 ,  韦华 ,  赵兴凯 ,  王顺金 ,  柳廷龙 ,  刘汉保 ,  黄平 ,  何永彬 ,  叶晓达

IPC分类号： C30B29/40 ,  C30B11/00

摘要： 基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法，涉及一种VB法与VGF法结合砷化铟晶体生长装置、装料方法以及晶体生长工艺。所述的生长装置，由加热炉体、热场系统、支撑系统、容器系统和坩埚下降装置组成，所述生长方法，包括装料、装炉、化料、接籽晶、放肩、等径生长、冷却退火步骤。所述的装料容器分为上坩埚、下坩埚和石英安瓿瓶，利用锥形料、圆饼料和梯型料合理的搭配设计，不但能使装料结构稳定、还有助于高温时很好的化料，可以有效提高成晶率31%，通过砷化铟多晶的合成、装料、单晶生长获得籽晶胚、籽晶胚加工获得籽晶，再进行单晶生长，最终生长远低于LEC生长的低位错的砷化铟单晶。