一种高纯无水三氯化铟的制备方法

    公开(公告)号:CN109775747B

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201910265050.5

    申请日:2019-04-03

    IPC分类号: C01G15/00

    摘要: 本发明公开了一种高纯无水三氯化铟的制备方法,本方法是在惰性气体保护下,以精铟、盐酸为原料,边搅拌边将有机溶剂滴加入反应原料中,滴加速度为12~30mL/min,制备有机溶剂和三氯化铟的配合物;反应完成后,蒸馏去除低沸点物质,然后解配有机溶剂和三氯化铟的配合物,制得高纯无水三氯化铟;实验证明本发明方法获得的无水三氯化铟的纯度可达99.999%以上,满足半导体的原料的要求;本发明方法工艺流程简单、副产物少、产品制备效率高、产品纯度高,杂质含量低,适用于工业化生产和市场推广应用。

    一种生产纳米氧化铟粉体的方法

    公开(公告)号:CN109824081B

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN201910237457.7

    申请日:2019-03-27

    IPC分类号: C01G15/00

    摘要: 本发明公开了一种生产纳米氧化铟粉体的方法,该方法是将高纯铟花与浓硝酸反应稀释后制得硝酸铟液体,然后将硝酸铟液体加入到氨水溶液中,在碱性条件下生成了氢氧化铟,当pH值达到8.5~9.0时停止滴加硝酸铟液体,将水浴温度升高,测定混合液的pH值,当pH值下降至7.5~8.0时,开始计时,保温,然后停止搅拌,静置陈化;去除反应物中的上清液,清洗,将洗好的浆料离心脱水、烘干,破碎过筛后,煅烧,冷却后过筛,制得分散性好、团聚轻的纳米氧化铟粉体;本发明方法制得的氧化铟粉体纯度≥99.995%;粒度分布D50≤1.5μm、D90≤5.0μm;比表面积为5~20m2/g,能用于制备高纯高密度ITO靶材。

    一种从ITO废靶材中回收金属铟的方法

    公开(公告)号:CN110042229A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910347348.0

    申请日:2019-04-28

    摘要: 本发明公开了一种从ITO废靶材中回收金属铟的方法,该方法将ITO靶材清洗烘干粉碎后,将还原剂粉末与ITO废靶材粉末以及粘结剂混匀,压块后在真空熔炼炉内内进行还原反应,反应完成后制得合金块和氧化渣,合金块采用常规真空蒸馏技术去除其中的锡和还原剂,获得含量98-99%的粗铟,将粗铟铸成阳极板,用常规电解法制得含量大于99.99%的精铟;实验证明,本发明方法制得的金属铟杂质总含量低于0.05%,且在还原生产过程中没有废气和废水产生,安全、高效,适于工业化生产和市场推广应用。

    一种生产纳米氧化铟粉体的方法

    公开(公告)号:CN109824081A

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201910237457.7

    申请日:2019-03-27

    IPC分类号: C01G15/00

    摘要: 本发明公开了一种生产纳米氧化铟粉体的方法,该方法是将高纯铟花与浓硝酸反应稀释后制得硝酸铟液体,然后将硝酸铟液体加入到氨水溶液中,在碱性条件下生成了氢氧化铟,当pH值达到8.5~9.0时停止滴加硝酸铟液体,将水浴温度升高,测定混合液的pH值,当pH值下降至7.5~8.0时,开始计时,保温,然后停止搅拌,静置陈化;去除反应物中的上清液,清洗,将洗好的浆料离心脱水、烘干,破碎过筛后,煅烧,冷却后过筛,制得分散性好、团聚轻的纳米氧化铟粉体;本发明方法制得的氧化铟粉体纯度≥99.995%;粒度分布D50≤1.5μm、D90≤5.0μm;比表面积为5~20m2/g,能用于制备高纯高密度ITO靶材。

    一种高纯无水三氯化铟的制备方法

    公开(公告)号:CN109775747A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201910265050.5

    申请日:2019-04-03

    IPC分类号: C01G15/00

    摘要: 本发明公开了一种高纯无水三氯化铟的制备方法,本方法是在惰性气体保护下,以精铟、盐酸为原料,边搅拌边将有机溶剂滴加入反应原料中,滴加速度为12~30mL/min,制备有机溶剂和三氯化铟的配合物;反应完成后,蒸馏去除低沸点物质,然后解配有机溶剂和三氯化铟的配合物,制得高纯无水三氯化铟;实验证明本发明方法获得的无水三氯化铟的纯度可达99.999%以上,满足半导体的原料的要求;本发明方法工艺流程简单、副产物少、产品制备效率高、产品纯度高,杂质含量低,适用于工业化生产和市场推广应用。