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发明公开
一种氧化物绝缘层的制备方法与应用审中-实审

公开(公告)号：CN116666388A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310407465.8

申请日：2023-04-14

Applicant: 五邑大学

Inventor： 刘贤哲 , 陈澳 , 李颖欣 , 李岩 , 陈宥彬 , 张会琪 , 吴家聪 , 张婷婷 , 黄爱萍 , 罗坚义

IPC: H01L27/12 , H01L21/77

Abstract: 本发明公开了一种氧化物绝缘层的制备方法与应用，包括：在ITO玻璃衬底上涂覆前驱体溶液后升温退火处理得到氧化物绝缘层薄膜；升温过程采用梯度升温的方法从室温升温至350℃～500℃；梯度升温的方法为以20～100℃为梯度保温停留，保温停留的时间为1～2min，以本发明的氧化物绝缘层制备得到的氧化物绝缘层薄膜器件可显著降低氧化物绝缘薄膜的缺陷和漏电流，性能提升显著。

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