公开(公告)号：CN118969823A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410900510.8

申请日：2024-07-05

Applicant: 五邑大学

Inventor： 刘贤哲 ,  李岩 ,  邵永棋 ,  王映琳 ,  张李 ,  范楚怡 ,  黄爱萍 ,  罗坚义

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物半导体及其制备方法和应用，按摩尔比计，所述金属氧化物半导体的组份包括：Sn：W：Si为0.70～1.0:0.01～0.06:0.1～0.30。本发明提出一种金属氧化物半导体，该复合金属氧化物半导体通过向主体金属氧化物中掺杂少量的氧化钨或氧化硅，以有效抑制薄膜中的氧空位浓度，同时，还能提高电子轨道交叠面积，以提高半导体载流子迁移率，该氧化物半导体在酸性刻蚀液中具有很强的化学稳定性，与刻蚀金属具有较高的刻蚀选择比。