公开(公告)号：CN108526486A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810521042.8

申请日：2018-05-28

Applicant: 五邑大学

Inventor： 杨为家 ,  何鑫 ,  梁萍 ,  刘俊杰 ,  刘铭全 ,  刘艳怡 ,  王诺媛 ,  蒋庭辉 ,  江嘉怡 ,  陈廷宇

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种网格状纳米线的制备方法，包括以下步骤：(1)设计网格图案，并按照网格图案制成掩膜板；(2)采用PECVD或者磁控溅射法在衬底上制备一层厚度为20-300nm的SiO2薄膜；(3)在SiO2薄膜上旋涂光刻胶，使用步骤(1)中制备好的掩膜板进行曝光处理，在SiO2薄膜上获得生长网格状纳米线所需的网格图案，得到曝光处理后的SiO2薄膜；(4)采用RIE或者ICP刻蚀所述曝光处理后的SiO2薄膜，刻蚀直至衬底，得到刻蚀后的衬底，从而在衬底上获得生长网格状纳米线所需的网格图案；(5)在刻蚀后的衬底的网格状模板上利用水热法生长网格状纳米线；(6)将网格状纳米线从衬底上剥离出来，从而获得网格状纳米线。

公开(公告)号：CN108526486B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201810521042.8

申请日：2018-05-28

Applicant: 五邑大学

Inventor： 杨为家 ,  何鑫 ,  梁萍 ,  刘俊杰 ,  刘铭全 ,  刘艳怡 ,  王诺媛 ,  蒋庭辉 ,  江嘉怡 ,  陈廷宇

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种网格状纳米线的制备方法，包括以下步骤：(1)设计网格图案，并按照网格图案制成掩膜板；(2)采用PECVD或者磁控溅射法在衬底上制备一层厚度为20‑300nm的SiO2薄膜；(3)在SiO2薄膜上旋涂光刻胶，使用步骤(1)中制备好的掩膜板进行曝光处理，在SiO2薄膜上获得生长网格状纳米线所需的网格图案，得到曝光处理后的SiO2薄膜；(4)采用RIE或者ICP刻蚀所述曝光处理后的SiO2薄膜，刻蚀直至衬底，得到刻蚀后的衬底，从而在衬底上获得生长网格状纳米线所需的网格图案；(5)在刻蚀后的衬底的网格状模板上利用水热法生长网格状纳米线；(6)将网格状纳米线从衬底上剥离出来，从而获得网格状纳米线。