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公开(公告)号：CN109485445B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201811487077.0
申请日：2018-12-06
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明提供一种晶须增强多孔ZnO薄膜的制备方法，本发明以以醋酸锌为原料，以氯化锌和聚乙二醇为造孔剂，乙醇为溶剂，通过制备前驱体溶液和前驱体薄膜、以及高温烧结制备得到晶须增强多孔ZnO薄膜，该薄膜表面布满了各式各样的孔洞，且分布有很多凸起的晶须，具有良好的光催化降解性能；并且适用范围广，可以硅片、金属、导电玻璃等多种衬底上制备晶须增强多孔ZnO薄膜；制备设备成熟，工艺简单，成本有望降低5％；本发明制备晶须增强多孔ZnO薄膜，晶须是单晶ZnO纳米柱，具有优异的性能，适用范围广，有望在气敏探测器和光催化降解等领域发挥积极作用。
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公开(公告)号：CN109092641B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201810840046.2
申请日：2018-07-27
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三级孔结构的SnO2多孔薄膜，其一级孔的直径为1‑5μm，二级孔的直径为500‑800nm，三级孔的直径为1‑8nm。其制备方法包括以下步骤：(1)将造孔剂溶解于乙醇中，然后加入多通孔SnO2纳米颗粒，超声震荡，得到SnO2‑有机物混合溶液；(2)使用印刷技术将SnO2‑有机物混合溶液均匀涂覆到基板上，并在加热电板上烘烤，得到多孔SnO2‑有机物混合薄膜；(3)将得到的多孔SnO2‑有机物混合薄膜依次进行第一升温、第一保温、第二升温、第二保温过程，得到所述具有三级孔结构的SnO2多孔薄膜。所述具有三级孔结构的SnO2多孔薄膜可用于光电传感器、气敏传感器等领域，其具有尺寸可控、分布均匀性好等优点。
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公开(公告)号：CN108956714B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201810701499.7
申请日：2018-06-29
Applicant: 五邑大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种ZnO/Si纳米/微米柱阵列敏感材料，包括Si衬底、Si纳米/微米柱阵列、ZnO薄膜、Pt纳米粒子及电极材料，所述Si衬底上设置有Si纳米/微米柱阵列，所述Si纳米/微米柱阵列表面包裹有ZnO薄膜，所述ZnO薄膜表面负载有金属纳米粒子，所述Si纳米/微米柱阵列的顶部还设置有电极材料；所述金属纳米粒子为Pt、Au、Ag、Ni、Fe纳米粒子中的至少一种；还公开了该敏感材料的制备方法和传感器。通过控制Si纳米/微米柱阵列的有序性和均一性，调控ZnO和金属纳米粒子的分散效果，利用Si纳米/微米柱阵列的特殊光学特性及金属纳米粒子的局域表面等离子体增强效应提高传感器的灵敏度和整体性能。
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公开(公告)号：CN108565273B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201810415754.1
申请日：2018-05-03
Applicant: 五邑大学
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种螺旋状超长金属线/带的制备方法，包括以下步骤：1)在衬底上旋涂光刻胶；2)用掩膜板进行曝光显影，在衬底上获得螺旋状的线/带生长模板区域；3)在经过步骤2)处理后的衬底上蒸镀一层金属薄膜；4)在真空炉中退火，使金属薄膜结晶，并与衬底键合在一起；5)反向剥离，除去光刻胶和多余的金属薄膜，在衬底上获得螺旋状的超长线/带，6)除去衬底，得到螺旋状的超长线/带；其中，所述线/带的宽度为微米级或纳米级。本发明利用掩膜板制备超长的金属线/带，有序性好，其长度可达几米甚至数十米，可以像电缆一样盘卷起来；该制备方法简单，适用于多种金属，适合产业化生产。
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公开(公告)号：CN108807628B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810415769.8
申请日：2018-05-03
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明公开了一种基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜，所述基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜包括晶体Ag纳米线网格和包裹所述晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜。本发明采用基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜作为LED芯片的电流注入层，可以有效改善电流分布的均匀性，电流密度比ITO提高10％以上；与ITO相比，Ag纳米线网格增强Al掺杂ZnO薄膜的厚度减小，成本也显著降低；基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜排列的周期性好，具备一定的光子晶体的功能，有利于提高LED的正面出光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109103277B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201810840948.6
申请日：2018-07-27
Applicant: 五邑大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器及其制备方法。经过制备混合溶液、多层薄膜、高温烧结、金属纳米粒子、电极等步骤制备所述基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器。本发明所述制备方法适用范围广，可以在多种大尺寸衬底上实现基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器的制备，有利于降低生产成本，而且制造设备简单，工艺成熟，方便规模化生产，另外，本发明所述的紫外光电探测器光电响应性能优良。
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公开(公告)号：CN108766630B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810531450.1
申请日：2018-05-29
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明提供一种基于金属纳米线的柔性传感器、及其制备方法，由从下至上依次排列的第一PDMS薄膜层、金属纳米导电网络、电极、第二PDMS薄膜层组成，该方法包括S1)、制备金属非晶纳米薄膜；S2)、制备金属纳米导电网络；S3)、涂覆第一PDMS薄膜层；S4)、剥离衬底；S5)、镀电极；S6)、制备第二PDMS薄膜层。本发明制备方法简单、运用范围广泛，并且衬底可以多次反复使用，进一步降低了制备成本；另外，金属纳米导电网络为一体化结晶态的，进一步提高了传感器的导电性能和传感器的灵敏性，并且通过将一体化金属纳米网络全部转移到PDMS薄膜上，使得传感器的稳定性、响应性、柔性大大提高，而且还降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN109540970A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811488035.9
申请日：2018-12-06
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明提供一种基于新型ZnO纳米柱/SnO2薄膜探测器以及制备方法，该探测器从下至上依次包括衬底层、SnO2薄膜层、嵌入SnO2薄膜层的ZnO纳米柱，以及包覆在SnO2薄膜层、ZnO纳米柱上的Pt量子点和设置在两端的电极，该探测器的响应时间为5-10s，能够同时对乙醇、CO、NO气体进行探测，探测极限为5-10ppm。本发明适用范围广，可以在多种衬底上制备ZnO纳米柱/SnO2薄膜探测器，本发明制备的探测器同时含有ZnO和SnO2两种有效探测材料体系，具有双波段选择性光探测或同时对两种特殊的气体进行选择性检测；该探测器同时包含有ZnO纳米柱阵列和SnO2多孔薄膜，有利于提高探测的灵敏度。
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公开(公告)号：CN109485445A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811487077.0
申请日：2018-12-06
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明提供一种晶须增强多孔ZnO薄膜的制备方法，本发明以以醋酸锌为原料，以氯化锌和聚乙二醇为造孔剂，乙醇为溶剂，通过制备前驱体溶液和前驱体薄膜、以及高温烧结制备得到晶须增强多孔ZnO薄膜，该薄膜表面布满了各式各样的孔洞，且分布有很多凸起的晶须，具有良好的光催化降解性能；并且适用范围广，可以硅片、金属、导电玻璃等多种衬底上制备晶须增强多孔ZnO薄膜；制备设备成熟，工艺简单，成本有望降低5％；本发明制备晶须增强多孔ZnO薄膜，晶须是单晶ZnO纳米柱，具有优异的性能，适用范围广，有望在气敏探测器和光催化降解等领域发挥积极作用。
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公开(公告)号：CN109306451A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201811073083.1
申请日：2018-09-14
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将衬底放入磁控溅射真空室中，抽真空至真空度为0.0001Pa，通入0.1-0.48Pa的氩气，使用105-145W的功率溅射氧化物靶材，在衬底上沉积非晶态氧化物薄膜；(2)将步骤(1)制备的非晶态氧化物薄膜以每分钟10-90℃的升温速率加热至700-900℃，并保温20-50分钟，然后降温，制备得到所述多孔氧化物薄膜。所述衬底选自硅、蓝宝石、SiO2。所述氧化物包括ZnO、SnO2、Fe2O3、TiO2、La2O3、ZrO2或V2O5。本发明所述制备方法制备的氧化物薄膜种类多，设备成熟，工艺简单，显著降低生产成本。制备的多孔氧化物薄膜在气敏探测器、气敏探测器和光催化降解领域有很好的应用。
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