公开(公告)号：CN112164726B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202010966449.9

申请日：2020-09-15

Applicant: 五邑大学

Inventor： 宋伟东 ,  罗幸君 ,  陈钊 ,  高研 ,  张弛 ,  张业龙 ,  何鑫 ,  曾庆光 ,  李述体

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329 ,  H01L21/288

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种肖特基势垒二极管及其制备方法，所述肖特基势垒二极管包括以下结构：衬底层；半导体层，设置于衬底层的上表面，所述半导体层为GaN薄膜；阳极和阴极，均设置于半导体层的上表面，所述阳极为Ti3C2二维材料；阳极金属接触层，设置于所述阳极的上表面；阴极金属接触层，设置于所述阴极的上表面。所述肖特基势垒二极管在保持性能优良的情况下，还具有成本低廉的优势，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN112164732B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202010968434.6

申请日：2020-09-15

Applicant: 五邑大学

Inventor： 宋伟东 ,  罗幸君 ,  李述体 ,  陈钊 ,  张业龙 ,  张弛 ,  高研 ,  曾庆光 ,  何鑫

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种紫外光电二极管及其制备方法。所述紫外光电二极管，包括以下结构：衬底；GaN层，设置于所述衬底的上表面；Ti3C2肖特基接触层和欧姆接触层，相对设置于所述GaN层上表面的两侧；金属触点层，设置于所述Ti3C2肖特基接触层的上表面。所述紫外光电二极管具有优异的紫外光探测性能，响应度率大，比探测率高，响应速度快，且具有高电流开关比；所述制备方法无需复杂的金属沉积或溅射工艺，对半导体表面无损伤，工艺简单。

公开(公告)号：CN112164732A

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN202010968434.6

申请日：2020-09-15

Applicant: 五邑大学

Inventor： 宋伟东 ,  罗幸君 ,  李述体 ,  陈钊 ,  张业龙 ,  张弛 ,  高研 ,  曾庆光 ,  何鑫

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种紫外光电二极管及其制备方法。所述紫外光电二极管，包括以下结构：衬底；GaN层，设置于所述衬底的上表面；Ti3C2肖特基接触层和欧姆接触层，相对设置于所述GaN层上表面的两侧；金属触点层，设置于所述Ti3C2肖特基接触层的上表面。所述紫外光电二极管具有优异的紫外光探测性能，响应度率大，比探测率高，响应速度快，且具有高电流开关比；所述制备方法无需复杂的金属沉积或溅射工艺，对半导体表面无损伤，工艺简单。

公开(公告)号：CN112164726A

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN202010966449.9

申请日：2020-09-15

Applicant: 五邑大学

Inventor： 宋伟东 ,  罗幸君 ,  陈钊 ,  高研 ,  张弛 ,  张业龙 ,  何鑫 ,  曾庆光 ,  李述体

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329 ,  H01L21/288

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种肖特基势垒二极管及其制备方法，所述肖特基势垒二极管包括以下结构：衬底层；半导体层，设置于衬底层的上表面，所述半导体层为GaN薄膜；阳极和阴极，均设置于半导体层的上表面，所述阳极为Ti3C2二维材料；阳极金属接触层，设置于所述阳极的上表面；阴极金属接触层，设置于所述阴极的上表面。所述肖特基势垒二极管在保持性能优良的情况下，还具有成本低廉的优势，具有广阔的应用前景。