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公开(公告)号：CN115305565B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202210866784.0
申请日：2022-07-21
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米晶薄膜的装置及其方法与应用。所述制备纳米晶薄膜的装置，包括：真空腔；加热台，所述加热台设置于所述真空腔的内部；坩埚，所述坩埚设置于所述加热台的表面；隔热板，所述隔热板设置于所述坩埚的表面；衬底，所述衬底设置于所述隔热板的表面。使用所述装置，能够高效、低成本地制备纳米晶薄膜。
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公开(公告)号：CN109979803A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910249708.3
申请日：2019-03-29
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明公开了一种横向有序GaN微米线阵列，其包括：衬底(1)和GaN微米线阵列，GaN微米线(4)的轴向与衬底(1)所处的平面的夹角不超过15°，制备方法包括以下步骤：(A)在衬底(1)上形成掩膜层(2)；(B)在掩膜层(2)上刻蚀形成图案，将图案刻蚀形成凹槽；(C)在凹槽内生长出横向有序GaN微米线阵列。本发明利用GaN材料在硅不同晶面的异质外延特性，在不引入任何催化剂的前提下，在硅图形衬底上制备出横向有序的GaN微米线阵列。该方法可制备出高质量、大纵横比的晶体，且密度、尺寸等特性灵活可调。
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公开(公告)号：CN115206776A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210652894.7
申请日：2022-06-10
Applicant: 五邑大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种半导体及其制备方法和应用。其半导体包括：硅衬底；所述硅衬底表面设有若干独立设置的掩膜，所述掩膜的形状为方形；所述掩膜与所述硅衬底之间形成四棱柱结构；所述四棱柱结构的四个侧壁上生长有氮化镓微棱柱，所述氮化镓微棱柱呈阵列式分布。本发明的氮化镓微棱柱结构尺寸可控、均匀且呈阵列式分布，相对于平面薄膜具有更大的比表面积、更低的光反射率和更强的光捕获能力，在高集成微纳米光电器件中具有应用潜力。
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公开(公告)号：CN110010717A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910248656.8
申请日：2019-03-29
Applicant: 五邑大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/18 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式集成GaN微米线阵列MSM型紫外光探测器，包括衬底、嵌入式集成GaN微米线阵列和金属叉指电极，GaN微米线的轴线平行于衬底面。本发明提供的紫外光探测器具有紫外/可见光选择比高、暗电流低、响应速度快且结构简单等优点。同时，大面积可控制备GaN基微米线阵列的特点使得能充分利用微纳材料自身的优点。
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公开(公告)号：CN115084297A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210652895.1
申请日：2022-06-10
Applicant: 五邑大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种薄膜异质结紫外光探测器及其制备方法和应用。其薄膜异质结紫外光探测器包括：衬底；N型半导体层，N型半导体层设于衬底(100)表面，N型半导体层表面设有相互分离的P型半导体层和N型电极接触层；P型电极接触层，P型电极接触层设于P型半导体层表面；P型半导体层包括CsCu2I3薄膜材料层。本发明基于垂直结构设计异质结光电探测器，一方面避免了刻蚀半导体对N型半导体层造成的晶体损伤；另一方面，异质结在形成较强的内建电场作用下，实现电子空穴对高效分离，提高了光电转换效率，且具有一定的自供电特性。薄膜异质结紫外光探测器可以用于低功耗光电探测领域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109979803B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910249708.3
申请日：2019-03-29
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明公开了一种横向有序GaN微米线阵列，其包括：衬底(1)和GaN微米线阵列，GaN微米线(4)的轴向与衬底(1)所处的平面的夹角不超过15°，制备方法包括以下步骤：(A)在衬底(1)上形成掩膜层(2)；(B)在掩膜层(2)上刻蚀形成图案，将图案刻蚀形成凹槽；(C)在凹槽内生长出横向有序GaN微米线阵列。本发明利用GaN材料在硅不同晶面的异质外延特性，在不引入任何催化剂的前提下，在硅图形衬底上制备出横向有序的GaN微米线阵列。该方法可制备出高质量、大纵横比的晶体，且密度、尺寸等特性灵活可调。
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公开(公告)号：CN112164732A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010968434.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 五邑大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种紫外光电二极管及其制备方法。所述紫外光电二极管，包括以下结构：衬底；GaN层，设置于所述衬底的上表面；Ti3C2肖特基接触层和欧姆接触层，相对设置于所述GaN层上表面的两侧；金属触点层，设置于所述Ti3C2肖特基接触层的上表面。所述紫外光电二极管具有优异的紫外光探测性能，响应度率大，比探测率高，响应速度快，且具有高电流开关比；所述制备方法无需复杂的金属沉积或溅射工艺，对半导体表面无损伤，工艺简单。
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公开(公告)号：CN112164726A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010966449.9
申请日：2020-09-15
Applicant: 五邑大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/329 , H01L21/288
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种肖特基势垒二极管及其制备方法，所述肖特基势垒二极管包括以下结构：衬底层；半导体层，设置于衬底层的上表面，所述半导体层为GaN薄膜；阳极和阴极，均设置于半导体层的上表面，所述阳极为Ti3C2二维材料；阳极金属接触层，设置于所述阳极的上表面；阴极金属接触层，设置于所述阴极的上表面。所述肖特基势垒二极管在保持性能优良的情况下，还具有成本低廉的优势，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN112164717A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010967172.1
申请日：2020-09-15
Applicant: 五邑大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体工艺和器件领域，公开了一种常关型GaN/AlGaN HEMT器件及其制备方法。所述常关型GaN/AlGaN HEMT器件，包括：衬底、半极性微米线阵列、SiO2介质层、源电极、漏电极和栅电极；所述衬底表面设置有槽口宽于槽底的梯形凹槽，所述梯形凹槽的斜面上依次生长有AlN缓冲层、本征GaN层和本征AlGaN层，形成半极性微米线阵列；所述半极性微米线阵列的上方设置有SiO2介质层、源电极、漏电极和栅电极。所述常关型GaN/AlGaN HEMT器件的结构简单、性能稳定，且制备方法简便。
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公开(公告)号：CN115305565A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210866784.0
申请日：2022-07-21
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米晶薄膜的装置及其方法与应用。所述制备纳米晶薄膜的装置，包括：真空腔；加热台，所述加热台设置于所述真空腔的内部；坩埚，所述坩埚设置于所述加热台的表面；隔热板，所述隔热板设置于所述坩埚的表面；衬底，所述衬底设置于所述隔热板的表面。使用所述装置，能够高效、低成本地制备纳米晶薄膜。
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