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公开(公告)号：CN118472150A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410520770.2
申请日：2024-04-28
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管。该发光二极管包括：第一半导体层、有源层、第二半导体层、钝化层、第一电极和第二电极；第一电极包括第一电极主体与第一延伸部，第二电极包括第二电极主体、第二延伸部和第三延伸部。第一延伸部通过第一通孔与第一半导体层连接，第二延伸部通过第二通孔与第二半导体层连接。与第一电极主体距离最远的第一通孔与第一延伸部远离第一电极主体的一端之间的距离为S1，第一延伸部的长度为L1，S1与L1的比值的范围为1:2～1:20；与第二电极主体距离最近的第二通孔与第二延伸部靠近第二电极主体的一端的距离为S2，第二延伸部的长度为L2，S2与L2的比值的范围为1:2～1:20。
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公开(公告)号：CN118431374A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410499758.8
申请日：2024-04-24
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善漏电的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层和钝化层，所述钝化层位于所述外延层的表面上；所述钝化层包括基底层和隔离层，所述隔离层位于所述基底层内，所述隔离层位于所述隔离层的靠近所述外延层的表面和所述隔离层的远离所述外延层的表面之间，所述隔离层的密度大于所述基底层的密度。本公开实施例能避免制备金属层过程中产生金属粒子，而导致钝化层破裂使得发光二极管漏电失效的问题。
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公开(公告)号：CN118335871A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410449345.9
申请日：2024-04-15
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种提升可靠性的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、透明导电层、第一绝缘层、银镜反射层、银镜保护层、第二绝缘层和电极，透明导电层位于外延层的表面上，第一绝缘层覆盖透明导电层，银镜反射层位于第一绝缘层的远离外延层的表面上，且通过第一通孔与透明导电层相连；银镜保护层覆盖银镜反射层，银镜保护层为非金属材料层；第二绝缘层位于银镜保护层的远离外延层的表面上，电极位于第二绝缘层的远离外延层的表面上，且依次通过第三通孔和第二通孔与银镜反射层相连。本公开实施例能避免制备金属保护层过程中产生金属粒子，而导致膜层破裂的问题。
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公开(公告)号：CN118712304A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410690274.1
申请日：2024-05-30
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管和发光二极管的制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；透明导电层，所述透明导电层位于所述第二半导体层上；介质层，所述介质层覆盖所述透明导电层，所述介质层具有多个第一通孔；银反射层，所述银反射层位于所述介质层上，所述银反射层通过所述多个第一通孔与所述透明导电层连接；第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述透明导电层及所述介质层，所述第一钝化层具有第二通孔和位于所述第二通孔内的多个钝化层补偿块，所述多个钝化层补偿块与所述多个第一通孔对应；电极，所述电极位于所述第一钝化层上，且所述电极通过所述第二通孔与所述银反射层连接。
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公开(公告)号：CN118367079A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410449438.1
申请日：2024-04-15
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善刻蚀损伤的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管的制备方法包括：在外延结构的表面的过孔区域形成光刻胶层，控制所述光刻胶层在垂直于所述外延结构的表面上的截面形状为倒梯形；在所述外延结构的表面和所述光刻胶层的表面形成钝化层；采用蓝膜粘附所述光刻胶层的表面的钝化层，并剥离所述光刻胶层的表面的钝化层；去除所述光刻胶层，以得到露出所述过孔区域的钝化层；在所述钝化层的远离所述外延结构的表面制作电极，使所述电极与所述过孔区域相连。本公开实施例能改善在钝化层上形成通孔容易对下方的外延层造成损伤的问题，提升发光二极管的制备质量。
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公开(公告)号：CN118782708A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410819139.2
申请日：2024-06-24
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：外延结构、银镜结构、绝缘结构、第一电极和第二电极。第一电极和第二电极包括依次层叠的接触层、反射层、包裹层和保护层，反射层和包裹层包括AlCu合金层，AlCu合金层中Cu含量为8～10％。8～10％的AlCu合金使得蒸发制程更稳定，不会产生金属颗粒，避免了上层膜层破裂，提高了LED良率。
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公开(公告)号：CN118712308A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410853580.2
申请日：2024-06-28
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种提高亮度的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、第一绝缘层和金属反射层，所述第一绝缘层和所述金属反射层依次层叠在所述外延层的表面上，所述第一绝缘层至少覆盖所述外延层的表面，所述第一绝缘层具有第一通孔，所述金属反射层通过所述第一通孔与所述外延层电连接；所述第一绝缘层包括依次层叠在所述外延层上的第一反光层和第一反射层，所述第一反射层包括交替层叠的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层的折射率小于所述第二材料层的折射率。本公开实施例能改善发光二极管的反射效果，提升发光亮度。
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公开(公告)号：CN118610350A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410596917.6
申请日：2024-05-14
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括外延层、依次层叠在外延层上的连接电极层、第一绝缘层、金属插入层和第二绝缘层以及焊盘电极层，金属插入层在外延层上的正投影与第一连接电极在外延层上的正投影部分重叠；第一焊盘电极的部分贯穿第一绝缘层和第二绝缘层且与第一连接电极连接，第二焊盘电极的部分贯穿第一绝缘层和第二绝缘层且与第二连接电极连接，第二焊盘电极在外延层上的正投影与第一连接电极在外延层上的正投影间隔，且与金属插入层在外延层上的正投影间隔，第一焊盘电极和第二焊盘电极均与金属插入层绝缘。本公开实施例能提高LED固晶的可靠性。
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公开(公告)号：CN118588836A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410633116.2
申请日：2024-05-21
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管和发光二极管的制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；透明导电层，所述透明导电层位于所述第二半导体层上，所述透明导电层具有多个第一通孔；银镜结构，所述银镜结构位于所述第二半导体层上且覆盖所述透明导电层，所述银镜结构包括依次层叠在所述透明导电层上的绝缘层和银反射层，所述绝缘层具有多个第二通孔，所述银反射层通过所述多个第二通孔与所述透明导电层连接，所述多个第一通孔在所述第二半导体层上的投影分布在所述多个第二通孔在所述第二半导体层上的投影之间。
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公开(公告)号：CN118472124A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410518672.5
申请日：2024-04-28
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善划裂损伤的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管的制备方法包括：制作外延结构，所述外延结构的第一表面具有用于劈开所述外延结构的划裂道，以及由所述划裂道划分成的多个外延区域；在所述外延结构的第一表面形成钝化层，并去除所述钝化层上与所述划裂道相对的区域；沿所述划裂道劈开所述外延结构，得到多个发光二极管。本公开实施例能改善劈裂晶圆过程中钝化层因出现脆性断裂而损坏发光二极管的问题。
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