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公开(公告)号：CN118571994A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410432543.4
申请日：2024-04-11
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种掩膜板及发光二极管的制作方法，属于半导体领域。该掩膜板包括：多个区域，所述多个区域包括中心区域和多个环形区域，所述中心区域位于所述掩膜板的中心，所述多个环形区域环绕所述中心区域，且沿着从所述掩膜板的中心到边缘的方向依次排布；每个所述区域均包括多个子掩膜板，所述子掩膜板包括第一部分与第二部分；任意两个相邻的所述区域中，靠近所述掩膜板的中心的所述区域内的所述子掩膜板的所述第一部分的面积，小于远离所述掩膜板的中心的所述区域内的所述子掩膜板的所述第一部分的面积。
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公开(公告)号：CN118448539A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410502787.5
申请日：2024-04-25
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：衬底，和依次层叠在衬底第一半导体层、有源层和第二半导体层；层叠在第二半导体层上的电流扩展层；位于电流阻挡层表面的钝化层；与第一半导体层连接的第一电极，与第二半导体层连接的第二电极，第一电极包括第一电极主体和第一延伸部，第二电极包括第二电极主体、第二延伸部和第三延伸部；位于电流扩展层与第二半导体层之间的电流阻挡层，电流阻挡层具有第四延伸部和第五延伸部；第四延伸部与第二延伸部对应布置，第五延伸部与第三延伸部对应布置，所述第四延伸部和所述第五延伸部在所述第一半导体层上的投影越靠近所述第二电极主体的部分越窄。
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公开(公告)号：CN118610336A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410593903.9
申请日：2024-05-14
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种改善出光效率的发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片包括衬底和依次层叠在衬底的第一表面上的发光结构、绝缘层和分布式布拉格反射层，发光结构具有第一侧壁；绝缘层包覆发光结构，绝缘层具有第二侧壁，第二侧壁位于第一侧壁的表面，位于第二侧壁上的分布式布拉格反射层的表面与第一表面之间的夹角小于第一侧壁与第一表面之间的夹角。本公开实施例能在不影响发光面积的同时，提高LED芯片的出光效率。
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公开(公告)号：CN118472150A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410520770.2
申请日：2024-04-28
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管。该发光二极管包括：第一半导体层、有源层、第二半导体层、钝化层、第一电极和第二电极；第一电极包括第一电极主体与第一延伸部，第二电极包括第二电极主体、第二延伸部和第三延伸部。第一延伸部通过第一通孔与第一半导体层连接，第二延伸部通过第二通孔与第二半导体层连接。与第一电极主体距离最远的第一通孔与第一延伸部远离第一电极主体的一端之间的距离为S1，第一延伸部的长度为L1，S1与L1的比值的范围为1:2～1:20；与第二电极主体距离最近的第二通孔与第二延伸部靠近第二电极主体的一端的距离为S2，第二延伸部的长度为L2，S2与L2的比值的范围为1:2～1:20。
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公开(公告)号：CN118299480A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410382943.9
申请日：2024-04-01
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片包括复合衬底和依次层叠在复合衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层；复合衬底包括第一蓝宝石层和多个凸起，多个凸起位于第一蓝宝石层的靠近第一半导体层的表面且阵列布置，凸起包括沿远离第一蓝宝石层的方向依次层叠的第二蓝宝石层和二氧化硅层，二氧化硅层包括沿远离第二蓝宝石层的方向依次层叠的台体和锥体，台体的小端靠近第二蓝宝石层且与第二蓝宝石层连接，台体的大端远离第二蓝宝石层且与锥体的底面连接，台体、第二蓝宝石层和第一半导体层之间存在空气腔。本公开实施例能在保证LED芯片的质量较好的同时，提高LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN118553822A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410382925.0
申请日：2024-04-01
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：在发光结构的第一表面上形成掩膜层，掩膜层为非光刻胶材料层，掩膜层具有通孔，通孔的侧壁具有环形的凸起结构，环形的凸起结构在第一表面上的正投影位于通孔的与第一表面接触的一端的内部；在通孔中的第一表面上形成分布式布拉格反射层。本公开实施例能减少DBR层脱落的几率并提高DBR层的反射率，从而提高LED的可靠性和发光效率。
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