公开(公告)号：CN118380521A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410447439.2

申请日：2024-04-15

申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司

发明人： 王世俊 ,  赵秀梅 ,  宋木 ,  李彤 ,  邢振远 ,  王洪占

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

摘要： 本公开公开了一种发光二极管及发光二极管制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括：依次层叠第一半导体层、多量子阱层、Mg阻挡层和第二半导体层，所述Mg阻挡层与所述第一半导体层的掺杂类型相同，所述第二半导体层为Mg掺杂层。

公开(公告)号：CN118693194A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410712443.7

申请日：2024-06-04

申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司

发明人： 赵秀梅 ,  王世俊 ,  王洪占 ,  张美

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/00

摘要： 本公开实施例提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、发光层、第二半导体层、插入层和P型过渡层，插入层包括层叠的多个周期结构，每个周期结构包括沿远离第二半导体层的方向层叠的N型掺杂子层和P型掺杂子层，并且每个周期结构中N型掺杂子层的掺杂浓度大于P型掺杂子层的掺杂浓度。本公开实施例能改善LED在高温条件下的亮度衰减问题，提高LED的可靠性。