一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

    公开(公告)号:CN107329338A

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201710687887.X

    申请日:2017-08-11

    发明人: 张迪 闫岩

    摘要: 本发明公开一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置,涉及显示技术领域,以降低外部静电对四边无边框显示面板的影响。所述阵列基板包括衬底基板,衬底基板包括边框形成区;衬底基板的表面设有第一导电层,第一导电层的表面形成有第一绝缘层,第一绝缘层对应边框形成区的表面形成有与地线引线电连接的第二导电层,第一导电层与所述第二导电层通过第三导电层电连接。所述阵列基板的制作方法用于制作上述技术方案所提的阵列基板。本发明提供的显示面板用于显示装置中。

    一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

    公开(公告)号:CN107329338B

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN201710687887.X

    申请日:2017-08-11

    发明人: 张迪 闫岩

    摘要: 本发明公开一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置,涉及显示技术领域,以降低外部静电对四边无边框显示面板的影响。所述阵列基板包括衬底基板,衬底基板包括边框形成区;衬底基板的表面设有第一导电层,第一导电层的表面形成有第一绝缘层,第一绝缘层对应边框形成区的表面形成有与地线引线电连接的第二导电层,第一导电层与所述第二导电层通过第三导电层电连接。所述阵列基板的制作方法用于制作上述技术方案所提的阵列基板。本发明提供的显示面板用于显示装置中。

    一种显示基板的制造方法及显示基板、显示装置

    公开(公告)号:CN108305950B

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN201810097096.6

    申请日:2018-01-31

    发明人: 张迪

    IPC分类号: H01L51/50 H01L27/32 H01L51/56

    摘要: 本发明公开了一种显示基板的制造方法及显示基板、显示装置,该制造方法包括:在衬底基板上形成第一电极,在所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧形成像素界定层,所述像素界定层限定出多个像素区域,在所述像素区域中形成发光功能材料,在形成发光功能材料之后的设定时间点,通过掩板对所述发光功能材料进行压平处理形成发光功能层,在所述发光功能层的上方形成第二电极。本发明能够保证OLED显示基板中电致发光层的均一性,提升了OLED显示基板的显示效果。

    一种显示面板及其制作方法、显示装置

    公开(公告)号:CN108398839A

    公开(公告)日:2018-08-14

    申请号:CN201810256464.7

    申请日:2018-03-26

    发明人: 张迪

    IPC分类号: G02F1/1362 G02F1/1333

    摘要: 本发明实施例公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置,其中,该显示面板包括:相对设置的第一基板和第二基板、设置在第一基板上的信号线阵列以及设置在第一基板或第二基板上的第一黑矩阵层;信号线阵列包括:时钟信号线和公共电极反馈信号线;显示面板包括:配置有公共电极反馈信号线的第一区域和配置有时钟信号线的第二区域;第一黑矩阵层包括:空白区域,第一区域和第二区域中至少一个区域在第一基板上的正投影与空白区域在第一基板上的正投影存在重叠区域。本发明实施例避免了时钟信号线和公共电极反馈信号线之间形成耦合电容,解决了水平横纹频发的问题。

    薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法、显示面板

    公开(公告)号:CN110010695A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201810011442.4

    申请日:2018-01-05

    发明人: 张迪

    IPC分类号: H01L29/786 H01L27/12

    摘要: 本发明提供一种薄膜晶体管,其中,所述薄膜晶体管包括半导体层、源极和漏极,所述半导体层包括有源层和超疏水层,所述有源层包括源极接触部、漏极接触部和沟道部,所述源极与所述源极接触部相对应,所述漏极与所述漏极接触部相对应,所述超疏水层设置在所述有源层朝向所述源极和漏极的表面上,所述超疏水层包括多个从所述有源层表面凸出的多级微纳结构,所述超疏水层至少覆盖所述有源层的沟道部。本发明还提供一种阵列基板、该阵列基板的制造方法和显示面板。所述薄膜晶体管利用超疏水层作为刻蚀阻挡层,可以避免湿刻时对有源层造成损坏。

    薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法、显示面板

    公开(公告)号:CN110010695B

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN201810011442.4

    申请日:2018-01-05

    发明人: 张迪

    IPC分类号: H01L29/786 H01L27/12

    摘要: 本发明提供一种薄膜晶体管,其中,所述薄膜晶体管包括半导体层、源极和漏极,所述半导体层包括有源层和超疏水层,所述有源层包括源极接触部、漏极接触部和沟道部,所述源极与所述源极接触部相对应,所述漏极与所述漏极接触部相对应,所述超疏水层设置在所述有源层朝向所述源极和漏极的表面上,所述超疏水层包括多个从所述有源层表面凸出的多级微纳结构,所述超疏水层至少覆盖所述有源层的沟道部。本发明还提供一种阵列基板、该阵列基板的制造方法和显示面板。所述薄膜晶体管利用超疏水层作为刻蚀阻挡层,可以避免湿刻时对有源层造成损坏。