覆晶薄膜及显示装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114759008A

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202210418866.9

    申请日:2022-04-20

    IPC分类号: H01L23/498

    摘要: 本公开提供了一种覆晶薄膜及显示装置。该一种覆晶薄膜包括:基底;芯片,设于所述基底上;多个引线,设于所述基底上,且间隔分布,各所述引线的一端连接于所述芯片,另一端用于与一显示面板的多个数据信号线一一对应连接;其中,多个所述引线中至少存在两个所述引线的长度不同,且长度较大的所述引线连接的所述数据信号线的长度小于长度较小的所述引线连接的所述数据信号线的长度。本公开能够提高显示画质。

    显示面板的驱动方法及显示装置

    公开(公告)号:CN114495800B

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202210217141.3

    申请日:2022-03-07

    IPC分类号: G09G3/20 G09G3/36 G09G3/3208

    摘要: 本公开实施例公开了显示面板的驱动方法及显示装置,包括:获取当前显示帧的显示数据;根据显示数据,确定电耦接于同一条数据线且电耦接于每相邻两条栅线的子像素对应的目标数据电压之间的电压差值;判断是否存在至少一条数据线电耦接的子像素对应的所有电压差值的绝对值不小于设定阈值;若是,则向栅极驱动电路输入第一控制脉冲信号,对栅线加载第一栅极扫描信号,并向源极驱动电路输入显示数据,对数据线加载数据电压,以使各子像素充入相应的数据电压;若否,则向栅极驱动电路输入第二控制脉冲信号,对栅线加载第二栅极扫描信号,并向源极驱动电路输入显示数据,对数据线加载数据电压,以使各子像素充入相应的数据电压。

    触控装置、触控方法及电子设备

    公开(公告)号:CN110688032B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN201910912078.3

    申请日:2019-09-25

    摘要: 本发明提供了一种触控装置,涉及触控技术领域,其中,触控装置包括:多个触控检测模块,每个所述触控检测模块均包括多个超声波检测单元;所述超声波检测单元用于向位于预设平面中的待检测区发射超声波,并接收所述待检测区中触控物所反射的超声波;同一个所述触控检测模块中的所述超声波检测单元向同一个所述待检测区发射超声波,不同的所述触控检测模块中的所述超声波检测单元向不同的所述待检测区发射超声波;同一个所述待检测区中,不同的待检测子区中的触控物所反射的超声波被不同数量的所述超声波检测单元接收。本发明还提供了一种触控方法和一种电子设备。采用本发明提供的触控装置,可以通过声波检测实现触控操作的识别。

    显示驱动方法、显示驱动系统和显示装置

    公开(公告)号:CN111968594A

    公开(公告)日:2020-11-20

    申请号:CN202010934294.0

    申请日:2020-09-08

    IPC分类号: G09G3/36

    摘要: 本发明提供一种显示驱动方法、显示驱动系统和显示装置,属于显示技术领域,其可至少部分解决现有的显示装置中由于其显示分辨率或刷新率高而导致的驱动模块温度过高的问题。本发明的一种显示驱动方法,用于驱动显示面板的显示,显示驱动方法包括:根据第一关系,得到第一Gamma电压,第一关系为显示面板的电压与透过率的对应关系;根据第一关系和转化标准,得到第二Gamma电压,其中,对于同一灰阶第二Gamma电压小于第一Gamma电压;判断显示面板当前的显示频率是否大于预设阈值;若显示面板当前显示频率大于预设阈值,以使显示面板的驱动模块输出第二Gamma电压以实现显示。

    一种面板显示方法、装置、系统、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118120007A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202280003407.2

    申请日:2022-09-30

    IPC分类号: G09G3/36 G06F3/147

    摘要: 本发明公开了一种面板显示方法、装置、系统、设备及存储介质。所述方法包括:在确定面板的刷新率配置为W*N的情况下,针对所述面板确定M/N行真实像素,所确定的相邻真实像素行之间存在N‑1行像素;所述面板包括M行像素,且所述面板的分辨率为M*Z;N≥2;获取刷新率为W*N,包含M/N行像素值的图像流数据;所述图像流数据中的图像分辨率为(M/N)*Z;调整所述面板的输入锁存器信号的起始时间和周期,以使所确定的M/N行真实像素逐行显示所获取的图像流数据中M/N行像素值,且单行真实像素的理论充电时长大于或等于1/(W*M)秒。