一种显示基板及其制备方法

    公开(公告)号:CN112864203B

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202110040621.2

    申请日:2021-01-13

    摘要: 本发明提供一种显示基板及其制备方法。该显示基板的制备方法,显示基板包括摄像区,摄像区包括第一区和第二区,第一区和第二区相互邻接;制备该方法包括:在非柔性基底一侧依次制备柔性基底、像素电路、发光实现层和封装层;其中,在第一区形成有贯穿柔性基底、像素电路的通孔;在非柔性基底的背离柔性基底的一侧制备剥离光线吸收层,剥离光线吸收层在非柔性基底上的正投影覆盖第二区;从非柔性基底背离柔性基底侧进行剥离光线照射,使位于第一区与位于第二区的发光实现层断开;将非柔性基底与柔性基底进行剥离,位于第一区的发光实现层保留在非柔性基底上。该显示基板制备方法确保了摄像区的光线透过率。

    一种显示基板及其制造方法、显示装置

    公开(公告)号:CN111799237B

    公开(公告)日:2022-08-26

    申请号:CN202010704875.5

    申请日:2020-07-21

    摘要: 本发明提供一种显示基板及其制造方法、显示装置,显示基板包括:衬底;形成于衬底上的半导体制冷单元阵列;形成于半导体制冷单元阵列上的驱动器件层;半导体制冷单元阵列包括阵列分布的多个制冷单元,制冷单元包括:第一导电单元,包括间隔设置的第一导电块和第二导电块;半导体单元,包括一个N型半导体和一个P型半导体,N型半导体与第一导电块在衬底上的正投影至少部分重合,P型半导体与第二导电块在衬底上的正投影至少部分重合;第三导电块,N型半导体和P型半导体与第三导电块在衬底上的正投影至少部分重叠,第三导电块连接N型半导体和P型半导体。本发明显示基板及其制造方法、显示装置,提高显示基板自身散热能力,提高显示基板寿命。

    一种阵列基板及其制备方法、显示装置

    公开(公告)号:CN112018161A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN202010932383.1

    申请日:2020-09-08

    摘要: 本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,用以减少纹路识别光线传播路径,提高纹路识别准确率和效率。阵列基板包括:衬底;阵列基板具有:显示区,以及周边区;显示区包括:在衬底之上的第一薄膜晶体管,在衬底之上与第一薄膜晶体管电连接的第一连接引线,位于第一薄膜晶体管之上的封装层,位于封装层之上的光敏器件,以及位于封装层之上的与光敏器件电连接的第二连接引线;第一连接引线,第二连接引线,以及封装层均延伸到周边区;周边区包括:位于第一连接引线和封装层之间的挡墙;封装层覆盖挡墙,且封装层在挡墙背离第一薄膜晶体管的一侧具有暴露第一连接引线的第一过孔,第二连接引线通过第一过孔与第一连接引线电连接。

    OLED显示面板及其制作方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111477764B

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202010451613.2

    申请日:2020-05-25

    IPC分类号: H01L51/52 H01L27/32 H01L51/56

    摘要: 本申请提供了OLED显示面板及其制作方法。该OLED显示面板包括:阵列基板;OLED结构层,OLED结构层设置在阵列基板的表面上;多个间隔设置的彩色滤光片,彩色滤光片设置在OLED结构层远离阵列基板的一侧,且多个彩色滤光片之间具有间隙;第一有机材料层,第一有机材料层设置在OLED结构层远离阵列基板的一侧,其中,第一有机材料层远离阵列基板的表面具有多个间隔设置的第一粗糙表面,第一粗糙表面在阵列基板上的正投影覆盖间隙在阵列基板上的正投影的至少一部分;黑化后遮光的第一金属层,第一金属层位于第一粗糙表面上。该显示面板中采用黑化的第一金属层取代黑矩阵,节省BM胶材的使用以及两道BM Mark工艺,进而避免BM引起的Mark对位的问题;可以增大L‑Decay角度,从而提升显示面板的出光效率。