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公开(公告)号：CN118901040A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202380008006.0
申请日：2023-03-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方显示科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1343
摘要： 阵列基板(001)、其制作方法及显示装置，包括衬底基板(101)，该衬底基板(101)包括显示区(AA)；多条数据线(102)，在显示区(AA)沿第一方向(Y)延伸并沿第二方向(X)排列；电极图案(103)，位于多条数据线(102)所在层远离衬底基板(101)的一侧，电极图案(103)为块状电极，至少部分数据线(102)在衬底基板(101)上的正投影位于电极图案(103)在衬底基板(101)上的正投影内；多个像素电极(104)，位于电极图案(103)所在层远离衬底基板(101)的一侧，像素电极(104)为块状电极，多个像素电极(104)与多条数据线(102)耦接，多个像素电极(104)在衬底基板(101)上的正投影与电极图案(103)在衬底基板(101)上的正投影相互交叠。
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公开(公告)号：CN113267955B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202110536899.9
申请日：2021-05-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方显示科技有限公司
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/70 , H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1368
摘要： 本申请提供一种半透过掩膜版和阵列基板制作的方法，半透过掩膜版用于光刻形成液晶显示面板中的薄膜晶体管，半透过掩膜版上的图形包括主图形和两个补偿部，补偿部分别位于主图形的两侧，主图形为用于形成薄膜晶体管中源极、漏极以及源极和漏极之间的沟道的图形，补偿部依次经源极的侧方和沟道的侧方延伸至漏极的侧方，补偿部为半透过区。本申请提供的半透过掩膜版和阵列基板制作的方法，可减小多次刻蚀后TFT器件的图形与TFT器件的设计图形之间的偏差。
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公开(公告)号：CN114779534B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210464945.3
申请日：2022-04-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方显示科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1337
摘要： 本申请实施例公开一种光配向掩模板、液晶显示面板以及光配向方法。在一具体实施方式中，光配向掩模板包括第一配向区域和第二配向区域，第一配向区域包括多个第一透光区和第一遮光区，第二配向区域包括多个第二透光区和第二遮光区，其中，第一透光区和第一遮光区中每一者的宽度与待配向液晶基板中子像素的第一边的长度相同，第二透光区和第二遮光区中每一者的宽度与待配向液晶基板中子像素的第二边的长度相同，其中第一边与第二边相邻。该实施方式通过第一透光区和第一遮光区的宽度与子像素的第一边相等且第二透光区和第二遮光区的宽度与子像素的第二边相等，从而能够利用一种掩模板制作多种畴的配向。
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公开(公告)号：CN219872011U
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202320662026.7
申请日：2023-03-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方显示科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1335 , G02F1/1339
摘要： 本公开的实施例提供了一种彩膜基板、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，用于改善裸露的公共电极容易形成电化学腐蚀的问题。该彩膜基板包括第一衬底、公共电极和第一保护图案。第一衬底具有主体区、封框胶设置区和外围区，封框胶设置区环绕主体区，外围区环绕封框胶设置区。公共电极设置于第一衬底上，公共电极在参考面上的正投影与封框胶设置区交叠，公共电极在参考面上的正投影与外围区至少部分交叠，参考面为第一衬底远离公共电极的表面所在的平面。第一保护图案覆盖公共电极远离第一衬底的一侧，第一保护图案环绕封框胶设置区，且与封框胶设置区之间具有第一间隙。本申请用于图像显示。
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公开(公告)号：CN113270075A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110449935.8
申请日：2021-04-25
申请人： 成都中电熊猫显示科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/36
摘要： 本申请提供一种GOA电路及液晶显示器，GOA电路中通过提供的STV重置电路，在液晶显示器的GOA电路正常逐行扫描的过程中，当需要切换驱动频率，能够通过STV重置电路将其他电路均进行重置，从而使得已经被驱动信号扫描过的GOA电路所对应的像素阵列，不会由于切换驱动频率出现显示异常的状况，从而提高液晶显示器的整体显示效果。
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公开(公告)号：CN114779534A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210464945.3
申请日：2022-04-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都中电熊猫显示科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1337
摘要： 本申请实施例公开一种光配向掩模板、液晶显示面板以及光配向方法。在一具体实施方式中，光配向掩模板包括第一配向区域和第二配向区域，第一配向区域包括多个第一透光区和第一遮光区，第二配向区域包括多个第二透光区和第二遮光区，其中，第一透光区和第一遮光区中每一者的宽度与待配向液晶基板中子像素的第一边的长度相同，第二透光区和第二遮光区中每一者的宽度与待配向液晶基板中子像素的第二边的长度相同，其中第一边与第二边相邻。该实施方式通过第一透光区和第一遮光区的宽度与子像素的第一边相等且第二透光区和第二遮光区的宽度与子像素的第二边相等，从而能够利用一种掩模板制作多种畴的配向。
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公开(公告)号：CN116830203A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202180003966.9
申请日：2021-12-15
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都中电熊猫显示科技有限公司
IPC分类号： G11C19/28
摘要： 一种驱动电路和显示装置。驱动电路包括上拉节点(NA)、输入模块(11)、上拉模块(12)、第一输出模块(13)和第二输出模块(14)；输入模块(11)与输入端(Gn‑a)和上拉节点(NA)电连接，用于在输入端(Gn‑a)提供的输入信号的控制下，控制上拉节点(NA)的电位；上拉模块(12)控制上拉节点(NA)的电位；第一输出模块(13)在上拉节点(NA)的电位的控制下，通过第一驱动输出端(Gn)输出第一栅极驱动信号；第二输出模块(14)在上拉节点(NA)的电位的控制下，通过第二驱动输出端(Gn+1)输出第二栅极驱动信号。显示装置在实现输出多级栅极驱动信号的同时，减少采用的晶体管的个数，利于实现窄边框。
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公开(公告)号：CN113267955A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110536899.9
申请日：2021-05-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都中电熊猫显示科技有限公司
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/70 , H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1368
摘要： 本申请提供一种半透过掩膜版和阵列基板制作的方法，半透过掩膜版用于光刻形成液晶显示面板中的薄膜晶体管，半透过掩膜版上的图形包括主图形和两个补偿部，补偿部分别位于主图形的两侧，主图形为用于形成薄膜晶体管中源极、漏极以及源极和漏极之间的沟道的图形，补偿部依次经源极的侧方和沟道的侧方延伸至漏极的侧方，补偿部为半透过区。本申请提供的半透过掩膜版和阵列基板制作的方法，可减小多次刻蚀后TFT器件的图形与TFT器件的设计图形之间的偏差。
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公开(公告)号：CN216670461U
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202122962857.X
申请日：2021-11-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都中电熊猫显示科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1333 , G02F1/1337
摘要： 本公开提供了一种阵列基板及显示面板，属于显示技术领域。阵列基板包括：衬底基板、驱动层、彩膜层、支撑层、电极层和取向层，驱动层位于衬底基板的一侧；彩膜层和支撑层位于驱动层背向衬底基板的同侧，电极层位于彩膜层背向衬底基板的一侧，且延伸至支撑层背向衬底基板一侧的区域；取向层位于电极层背向衬底基板的一侧，取向层背离衬底基板的表面未设置取向槽的区域位于同一平面。本公开实施方式中，由于彩膜层外围设置有支撑层，如此即可通过支撑层实现对取向层的支撑，以避免取向层在彩膜层的边缘区出现断差的情况，从而保证取向层的表面上未设置取向槽的区域位于同一平面。如此，在形成液晶分子层时，即可保证取向层对液晶分子层的取向效果。
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