显示装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113689790B

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202110961047.4

    申请日:2021-08-20

    IPC分类号: G09F9/30 H10K59/10 H04N23/57

    摘要: 本发明涉及一种显示装置,包括机身和柔性显示面板,沿第一方向,柔性显示面板包括非弯折区和位于非弯折区一侧的可弯折区;从非弯折区到可弯折区的方向,机身包括相对设置的第一边缘区域和第二边缘区域,第一边缘区域面向柔性显示面板的一面设置有摄像头组件,机身和柔性显示面板之间设置有滑动组件,滑动组件使得机身和柔性显示面板能够在第一方向上相对滑动,以使得摄像头组件在第一状态和第二状态之间转换;第一状态下,柔性显示面板在机身上的正投影完全覆盖摄像头组件,摄像头组件处于关闭状态;第二状态下,摄像头组件外露于柔性显示面板,摄像头组件处于工作状态。

    阵列基板及电子纸显示装置

    公开(公告)号:CN115202126B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202210882032.3

    申请日:2022-07-26

    IPC分类号: G02F1/167 G02F1/16755

    摘要: 本发明实施例公开一种阵列基板及电子纸显示装置。在一具体实施方式中,阵列基板包括位于衬底上的栅线和数据线,栅线和数据线交叉限定出多个像素区域,多个像素区域构成显示区,像素区域包括位于衬底上的双栅极薄膜晶体管和像素电极,双栅极薄膜晶体管包括第一栅极、第二栅极、第一电极、桥接电极和第二电极,第一栅极与第一电极、桥接电极之间设置有第一有源区,第二栅极与桥接电极、第二电极之间设置有第二有源区;第一有源区的朝向衬底一侧的膜层形成有第一斜面和/或第二有源区的朝向衬底一侧的膜层形成有第二斜面,第一有源区的至少部分形成在第一斜面上和/或第二有源区的至少部分形成在第二斜面上。该实施方式可提升像素开口率。

    显示基板、其制作方法及显示装置

    公开(公告)号:CN117121203A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202280000503.1

    申请日:2022-03-23

    IPC分类号: H01L27/12

    摘要: 本公开提供的显示基板、其制作方法及显示装置,包括衬底基板,其包括显示区,以及位于显示区至少一侧的边框区;在边框区级联设置的多个移位寄存器;多个跳线端子,位于移位寄存器与显示区之间,跳线端子包括第一跳线端子和第二跳线端子,第一跳线端子与移位寄存器电连接,第二跳线端子位于第一跳线端子所在层与衬底基板之间;多个转接端子,位于移位寄存器与显示区之间,多个转接端子位于第一跳线端子所在层远离衬底基板的一侧;绝缘层,位于显示区和边框区,绝缘层位于第二跳线端子所在层与多个转接端子所在层之间,绝缘层包括暴露出多个跳线端子的通道;在通道内,同一跳线端子的第一跳线端子和第二跳线端子分别与同一转接端子直接搭接。

    半色调掩膜板、显示基板的制作方法及显示基板

    公开(公告)号:CN113419399A

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN202110692445.0

    申请日:2021-06-22

    IPC分类号: G03F1/40

    摘要: 本发明提供一种半色调掩膜板,所述半色调掩膜板包括金属遮光图形,所述金属遮光图形包括多个图形部,所述金属遮光图形还包括静电释放导线,至少一对相邻的图形部之间连接有所述静电释放导线,对于至少一对被所述静电释放导线电连接的图形部而言,至少其中一个图形部包括图形部本体和形成在所述图形部本体的边缘处的缺口,所述静电释放导线的端部伸入所述缺口中,并与所述图形部本体电连接。通过半色调掩膜板上的缺口结构,能够降低半色调掩膜板本身的ESD风险,且能改善曝光后显示基板金属图形上的毛刺影响,也降低了多层搭接场景由于毛刺引起的ESD风险。本发明还提供一种使用所述半色调掩膜板的显示基板的制作方法及一种由所述方法制得的显示基板。

    Micro-LED巨量转移方法及Micro-LED基板

    公开(公告)号:CN109065677A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201810939699.6

    申请日:2018-08-17

    IPC分类号: H01L33/00 H01L25/075

    摘要: 本发明提供一种Micro‑LED巨量转移方法及Micro‑LED基板,该方法包括:提供转移板,转移板包括:衬底、位于衬底上的绝缘膜层和多个第一金属焊盘,绝缘膜层上具有多个凹槽,第一金属焊盘位于凹槽内;提供多个Micro‑LED晶粒,Micro‑LED晶粒的背部具有第二金属焊盘;在第一金属焊盘上或第二金属焊盘上形成焊料;将转移板和Micro‑LED晶粒置于盛有溶剂的腔室内,振动腔室,使Micro‑LED晶粒落入转移板的凹槽内,Micro‑LED晶粒上的第二金属焊盘与凹槽内的第一金属焊盘通过焊料接触,腔室内的温度高于焊料的熔点;使焊料固化。本发明的Micro‑LED巨量转移方法,良率高且成本低。

    一种像素结构、阵列基板、显示装置和制作方法

    公开(公告)号:CN111384071B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202010218961.5

    申请日:2020-03-25

    IPC分类号: H01L27/12 H01L21/77 H10K59/12

    摘要: 本发明公开了一种像素结构、阵列基板、显示装置和制作方法,所述像素结构包括层叠设置在衬底上的驱动电路和电致发光显示器件,所述驱动电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,其中所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管包括第一栅绝缘层;设置在所述第一栅绝缘层上的薄膜层,所述薄膜层的介电常数大于预设置的介电常数阈值;以及覆盖所述第一栅绝缘层和薄膜层的第二栅绝缘层。本发明提供的实施例通过设置在第二薄膜晶体管的包括第一栅绝缘层、第二栅绝缘层和位于两者之间的薄膜层的三明治结构的栅绝缘层,有效提高像素结构内驱动薄膜晶体管的驱动能力,从而解决现有技术中的问题,具有广泛的应用前景。