阵列基板、显示设备及阵列基板的制备工艺

    公开(公告)号:CN111403450A

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN202010221371.8

    申请日:2020-03-26

    IPC分类号: H01L27/32 H01L51/56

    摘要: 本发明提出一种阵列基板、显示设备及阵列基板的制备工艺。阵列基板包含像素定义层以及像素发光材料层,像素发光材料层包含B像素发光材料层、G像素发光材料层和R像素发光材料层,B像素发光材料层与G像素发光材料层在像素定义层顶部部分交叠,G像素发光材料层与R像素发光材料层在像素定义层顶部部分交叠。其中,阵列基板还包含空穴阻挡层。空穴阻挡层设于B像素发光材料层与G像素发光材料层的交叠部分之间,还设于G像素发光材料层与R像素发光材料层的交叠部分之间。

    阵列基板、显示设备及阵列基板的制备工艺

    公开(公告)号:CN111403450B

    公开(公告)日:2023-05-19

    申请号:CN202010221371.8

    申请日:2020-03-26

    IPC分类号: H10K59/35 H10K71/16

    摘要: 本发明提出一种阵列基板、显示设备及阵列基板的制备工艺。阵列基板包含像素定义层以及像素发光材料层,像素发光材料层包含B像素发光材料层、G像素发光材料层和R像素发光材料层,B像素发光材料层与G像素发光材料层在像素定义层顶部部分交叠,G像素发光材料层与R像素发光材料层在像素定义层顶部部分交叠。其中,阵列基板还包含空穴阻挡层。空穴阻挡层设于B像素发光材料层与G像素发光材料层的交叠部分之间,还设于G像素发光材料层与R像素发光材料层的交叠部分之间。