公开(公告)号：CN115606011A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202080002177.9

申请日：2020-09-29

申请人： 京东方科技集团股份有限公司(CN) ,  京东方晶芯科技有限公司(CN)

发明人： 马俊杰 ,  孙海威 ,  卢元达 ,  杨山伟 ,  岂林霞 ,  熊志军 ,  赵加伟

IPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36

摘要： 一种发光二极管芯片、显示基板及其制作方法。该发光二极管芯片包括：第一导电类型半导体层、发光层、至少两个第二导电类型半导体层以及至少两个第一电极；发光层位于第一导电类型半导体层的一侧；至少两个第二导电类型半导体层，位于发光层远离第一导电类型半导体层的一侧；至少两个第一电极分别与至少两个第二导电类型半导体层电性相连。至少两个第二导电类型半导体层在第一导电类型半导体层上的正投影相互间隔设置，至少两个第一电极在第一导电类型半导体层上的正投影相互间隔设置。该发光二极管芯片可降低单个LED发光结构的尺寸，可实现较高的像素密度，并且在小电流的驱动下效率也较高。