公开(公告)号：CN113169224A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980083462.5

申请日：2019-12-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 稻田正树

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L29/88

Abstract: 电路具有：输出电流信号的传感器元件(S1)、与传感器元件连接的肖特基势垒二极管(D1)、以及将栅极电极连接于传感器元件与肖特基势垒二极管的连接点的电压驱动的晶体管(T1)，肖特基势垒二极管在形成肖特基结(SB)的金属层(1)与半导体层(2)之间的一部分的区域具有绝缘体层(3)。通过绝缘体层(3)，可流过反向的隧道电流。

公开(公告)号：CN113196502A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980083380.0

申请日：2019-12-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 稻田正树

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/88 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 串联二极管(TD)具有：第1肖特基势垒二极管(D1)，相对于电流被反向连接；第2肖特基势垒二极管(D2)，与第1肖特基势垒二极管串联连接，相对于电流被反向连接，第1肖特基势垒二极管以及第2肖特基势垒二极管分别具有如下结构：在形成肖特基结(SB)的金属层(1)与半导体层(2)之间的一部分的区域具有绝缘体层(3)，并流过反向的隧道电流。

公开(公告)号：CN113196502B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN201980083380.0

申请日：2019-12-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 稻田正树

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/88 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 串联二极管(TD)具有：第1肖特基势垒二极管(D1)，相对于电流被反向连接；第2肖特基势垒二极管(D2)，与第1肖特基势垒二极管串联连接，相对于电流被反向连接，第1肖特基势垒二极管以及第2肖特基势垒二极管分别具有如下结构：在形成肖特基结(SB)的金属层(1)与半导体层(2)之间的一部分的区域具有绝缘体层(3)，并流过反向的隧道电流。

公开(公告)号：CN113169224B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN201980083462.5

申请日：2019-12-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 稻田正树

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L29/88

Abstract: 电路具有：输出电流信号的传感器元件(S1)、与传感器元件连接的肖特基势垒二极管(D1)、以及将栅极电极连接于传感器元件与肖特基势垒二极管的连接点的电压驱动的晶体管(T1)，肖特基势垒二极管在形成肖特基结(SB)的金属层(1)与半导体层(2)之间的一部分的区域具有绝缘体层(3)。通过绝缘体层(3)，可流过反向的隧道电流。