公开(公告)号：CN101057008B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200580038437.3

申请日：2005-04-08

申请人： 代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会

发明人： J·库韦塔基斯 ,  I·S·T·宗 ,  C·胡 ,  J·托尔

IPC分类号： C30B25/00

CPC分类号： C01B33/04 ,  C01B6/06 ,  Y10S148/058

摘要： 本发明提供了一种在Si(100)上生长具有富Ge含量(Ge>50原子％)和精确化学计量比SiGe、SiGe2、SiGe3和SiGe4的Si-Ge材料的方法。使用源于(H3Ge)xSiH4-x(x＝1-4)化合物族的具有直接Si-Ge键的新型氢化物在约300-450℃的空前低的温度下生长具有低缺陷密度的均匀、松驰且高度平坦的膜，完全解决了厚的组成渐变缓冲层和剥离(liftoff)技术的需要。在约500-700℃下，生长出具有窄尺寸分布、无缺陷的显微组织和原子级高度均匀的元素含量的SiGex量子点。该方法通过向膜中引入气态前体的全部Si/Ge构架提供了形貌、组成、结构和应变的精确控制。所生长的材料具有高频电子学和光学系统应用中，以及用于开发基于高迁移率Si和Ge沟道的商品化器件的模板和缓冲层所需的形貌和显微组织特性。

公开(公告)号：CN101057008A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200580038437.3

申请日：2005-04-08

申请人： 代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会

发明人： J·库韦塔基斯 ,  I·S·T·宗 ,  C·胡 ,  J·托尔

IPC分类号： C30B25/00

CPC分类号： C01B33/04 ,  C01B6/06 ,  Y10S148/058

摘要： 本发明提供了一种在Si(100)上生长具有富Ge含量(Ge＞50原子％)和精确化学计量比SiGe、SiGe2、SiGe3和SiGe4的Si－Ge材料的方法。使用源于(H3Ge)xSiH4－x(x＝1－4)化合物族的具有直接Si－Ge键的新型氢化物在约300－450℃的空前低的温度下生长具有低缺陷密度的均匀、松驰且高度平坦的膜，完全解决了厚的组成渐变缓冲层和剥离(lift off)技术的需要。在约500－700℃下，生长出具有窄尺寸分布、无缺陷的显微组织和原子级高度均匀的元素含量的SiGex量子点。该方法通过向膜中引入气态前体的全部Si/Ge构架提供了形貌、组成、结构和应变的精确控制。所生长的材料具有高频电子学和光学系统应用中，以及用于开发基于高迁移率Si和Ge沟道的商品化器件的模板和缓冲层所需的形貌和显微组织特性。