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公开(公告)号：CN102027616B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN200980111722.1
申请日：2009-04-03
申请人： 代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会
IPC分类号： H01M2/00
CPC分类号： H01M8/08 , H01M8/0656 , H01M8/225 , H01M8/2455
摘要： 本发明涉及电化学电池，该电化学电池在阳极和阴极之间带有间隔，用于输送包含携带来自固体燃料的离子的电荷的电解质和氧化剂的流。
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公开(公告)号：CN101678665A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880017145.5
申请日：2008-04-02
申请人： 代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会
CPC分类号： H01L21/0262 , C01B33/08 , C01B33/107 , C23C16/30 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , Y10S438/933
摘要： 本发明提供分子式Si x Ge y H z-a X a 的化合物和制备该化合物的方法，其中X为卤素，x、y、z和a在本文中定义，以及使用本发明的化合物在硅衬底上沉积高Ge含量Si膜的方法。
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公开(公告)号：CN102037593B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN200980118230.5
申请日：2009-04-15
申请人： 代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会
IPC分类号： H01M6/00
CPC分类号： H01M12/065 , H01M4/12
摘要： 本发明涉及通过金属燃料在电池阳极上电沉积而使电池充电的方法。
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公开(公告)号：CN101702900A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200880004276.X
申请日：2008-01-04
申请人： 代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会
CPC分类号： H01L29/24 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007
摘要： 提供了在小于约800℃下制备外延AlGaN层的方法。通常，在合适的温度和压力下于Al源存在下使衬底与H2GaN3、D2GaN3或其混合物接触，从而形成AlxGa1-xN层。另外，提供了半导体结构，该半导体结构包含：在衬底上方形成的含有多个重复合金层的叠层，其中所述重复合金层包含两种或更多种合金层类型，其中至少一个合金层类型包含ZrzHfyAl1-z-yB2合金层，其中z和y之和小于或等于1，并且所述叠层的厚度大于约50nm。
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公开(公告)号：CN102449108A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080024040.X
申请日：2010-04-06
申请人： 代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会
CPC分类号： C07F15/0086 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/104 , C09K2211/1044 , C09K2211/1055 , C09K2211/185 , H01L51/0087 , H01L51/42 , H01L51/5016 , H01L51/56 , H05B33/14 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 公开了展示出光吸收和光发射的铂络合物、所述络合物的制备方法及其应用，包括含有该络合物的光学器件。
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公开(公告)号：CN102037593A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200980118230.5
申请日：2009-04-15
申请人： 代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会
IPC分类号： H01M6/00
CPC分类号： H01M12/065 , H01M4/12
摘要： 本发明涉及通过金属燃料在电池阳极上电沉积而使电池充电的方法。
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公开(公告)号：CN101678665B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200880017145.5
申请日：2008-04-02
申请人： 代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会
CPC分类号： H01L21/0262 , C01B33/08 , C01B33/107 , C23C16/30 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , Y10S438/933
摘要： 本发明提供分子式SixGeyHz-aXa的化合物和制备该化合物的方法，其中X为卤素，x、y、z和a在本文中定义，以及使用本发明的化合物在硅衬底上沉积高Ge含量Si膜的方法。
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公开(公告)号：CN102027616A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980111722.1
申请日：2009-04-03
申请人： 代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会
IPC分类号： H01M2/00
CPC分类号： H01M8/08 , H01M8/0656 , H01M8/225 , H01M8/2455
摘要： 本发明涉及电化学电池，该电化学电池在阳极和阴极之间带有间隔，用于输送包含携带来自固体燃料的离子的电荷的电解质和氧化剂的流。
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公开(公告)号：CN102449108B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201080024040.X
申请日：2010-04-06
申请人： 代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会
CPC分类号： C07F15/0086 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/104 , C09K2211/1044 , C09K2211/1055 , C09K2211/185 , H01L51/0087 , H01L51/42 , H01L51/5016 , H01L51/56 , H05B33/14 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 公开了展示出光吸收和光发射的铂络合物、所述络合物的制备方法及其应用，包括含有该络合物的光学器件。
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公开(公告)号：CN101057008B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200580038437.3
申请日：2005-04-08
申请人： 代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会
IPC分类号： C30B25/00
CPC分类号： C01B33/04 , C01B6/06 , Y10S148/058
摘要： 本发明提供了一种在Si(100)上生长具有富Ge含量(Ge>50原子％)和精确化学计量比SiGe、SiGe2、SiGe3和SiGe4的Si-Ge材料的方法。使用源于(H3Ge)xSiH4-x(x＝1-4)化合物族的具有直接Si-Ge键的新型氢化物在约300-450℃的空前低的温度下生长具有低缺陷密度的均匀、松驰且高度平坦的膜，完全解决了厚的组成渐变缓冲层和剥离(liftoff)技术的需要。在约500-700℃下，生长出具有窄尺寸分布、无缺陷的显微组织和原子级高度均匀的元素含量的SiGex量子点。该方法通过向膜中引入气态前体的全部Si/Ge构架提供了形貌、组成、结构和应变的精确控制。所生长的材料具有高频电子学和光学系统应用中，以及用于开发基于高迁移率Si和Ge沟道的商品化器件的模板和缓冲层所需的形貌和显微组织特性。
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