公开(公告)号：CN101678665B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200880017145.5

申请日：2008-04-02

申请人： 代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会

发明人： J·库维塔奇斯 ,  J·泰斯 ,  Y·方

IPC分类号： B32B33/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C01B33/08 ,  C01B33/107 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  Y10S438/933

摘要： 本发明提供分子式SixGeyHz-aXa的化合物和制备该化合物的方法，其中X为卤素，x、y、z和a在本文中定义，以及使用本发明的化合物在硅衬底上沉积高Ge含量Si膜的方法。

公开(公告)号：CN101678665A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880017145.5

申请日：2008-04-02

申请人： 代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会

发明人： J·库维塔奇斯 ,  J·泰斯 ,  Y·方

IPC分类号： B32B33/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C01B33/08 ,  C01B33/107 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  Y10S438/933

摘要： 本发明提供分子式Si x Ge y H z-a X a 的化合物和制备该化合物的方法，其中X为卤素，x、y、z和a在本文中定义，以及使用本发明的化合物在硅衬底上沉积高Ge含量Si膜的方法。