公开(公告)号：CN1342033A

公开(公告)日：2002-03-27

申请号：CN01123030.4

申请日：2001-07-24

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： L·W·图特 ,  C·W·唐 ,  M·W·库维尔 ,  M·S·博贝里

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L51/0013 ,  H01L27/32 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/56

Abstract: 制造有机电发光显示元件的方法,该元件有沉积在显示基片上的像素阵列,它在显示基片上提供第一电极阵列;在供体转移基片上有未成图的供体转移基片和激光吸收层,在激光吸收层上有有机发射层。用激光束在供体基片的激光吸收层上聚焦和扫描,以将有机发射层的选定部分从供体基片转移到显示基片上相应于像素的指定区域,使其与第一电极发生电连接,并在显示基片上被转移的有机发射部分上提供第二电极。

公开(公告)号：CN100344009C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN03152643.8

申请日：2003-08-04

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： M·W·卡尔弗 ,  L·W·图特 ,  M·S·博贝里 ,  邓青云

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/42 ,  B41M5/382 ,  B41M5/40 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/56 ,  C23C14/048 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/0089 ,  Y10S428/913 ,  Y10S428/914 ,  Y10S428/917 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/26

Abstract: 一种适合用于制造OLED器件的给体元件，包括：给体支持体元件；置于基材之上的吸光层，其对光产生响应，产生热量；置于吸光层之上的发光层；和置于发光层之上的空穴传输层，当给体元件与OLED器件位于转印关系中和当吸光层吸光时，会产生热量，使得空穴传输材料与发光层材料穿过间隙而蒸发转印到OLED器件上。

公开(公告)号：CN1436026A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03101999.4

申请日：2003-01-30

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： M·S·博贝里 ,  L·W·图特 ,  M·W·库尔弗 ,  邓青云

IPC: H05B33/10 ,  G03F7/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L51/0009 ,  C23C14/048 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0064 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0069 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/0087 ,  H01L51/0089 ,  H01L51/56

Abstract: 制造有机场致发光显示设备的方法，所述有机场致发光显示设备具有配置在显示基材上的像素的阵列，该方法包括单独地或者作为给体元件或者显示基材的一部分提供间隔元件。然后将辐射诱导热转移用于从所述给体元件转移有机材料到所述显示基材。

公开(公告)号：CN1497752A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310100611.5

申请日：2003-10-08

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： M·S·博贝里 ,  F·瓦赞

IPC: H01L51/40 ,  B41M3/00 ,  B41M5/26 ,  B41M5/38

Abstract: 在制备OLED器件工艺中在衬底上沉积有机发射器层的方法，包括提供涂敷具有有机发射器的有机发射器层的施主元件，所述有机发射器具有期望的发射光谱，并易对衬底热转移；根据材料转移关系相对衬底预定距离安置施主元件涂敷面以在减压环境下沉积发射器层，选择预定距离以使OLED器件的发射光谱为期望的发射光谱；及加热施主元件促使转移层转移以在有机光发射器件上形成发射器层。

公开(公告)号：CN1480343A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03152643.8

申请日：2003-08-04

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： M·W·卡尔弗 ,  L·W·图特 ,  M·S·博贝里 ,  邓青云

IPC: B41M5/38 ,  B41M5/40 ,  H01L51/20 ,  H01L51/40 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/56 ,  C23C14/048 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/0089 ,  Y10S428/913 ,  Y10S428/914 ,  Y10S428/917 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/26

Abstract: 一种适合用于制造OLED器件的给体元件，包括：给体支持体元件；置于基材之上的吸光层，其对光产生响应，产生热量；置于吸光层之上的发光层；和置于发光层之上的空穴传输层，当给体元件与OLED器件位于转印关系中和当吸光层吸光时，会产生热量，使得空穴传输材料与发光层材料穿过间隙而蒸发转印到OLED器件上。