公开(公告)号：CN102027603B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN200880108812.0

申请日：2008-09-17

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： D·C·弗里曼 ,  D·H·莱维 ,  P·J·考德里-科尔文

IPC: H01L31/18 ,  H01L51/50 ,  B05D7/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/30 ,  B05D1/60 ,  B05D2252/02 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/545

Abstract: 一种通过原子层沉积在基板上制备有机薄膜的方法，所述方法包括同时引导一系列气流沿着基本上平行的伸长的通道通过，其中该系列气流包括依次的至少第一反应性气态材料、惰性吹扫气体和第二反应性气态材料，任选重复多次，其中所述第一反应性气态材料能够与用第二反应性气态材料处理过的基质反应，其中所述第一反应性气态材料、第二反应性气态材料或者二者为挥发性有机化合物。在有机薄膜的沉积过程中，所述方法基本上在大气压下或高于大气压下进行，其中沉积过程的基质温度低于250℃。

公开(公告)号：CN102027603A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200880108812.0

申请日：2008-09-17

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： D·C·弗里曼 ,  D·H·莱维 ,  P·J·考德里-科尔文

IPC: H01L31/18 ,  H01L51/50 ,  B05D7/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/30 ,  B05D1/60 ,  B05D2252/02 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/545

Abstract: 一种通过原子层沉积在基板上制备有机薄膜的方法，所述方法包括同时引导一系列气流沿着基本上平行的伸长的通道通过，其中该系列气流包括依次的至少第一反应性气态材料、惰性吹扫气体和第二反应性气态材料，任选重复多次，其中所述第一反应性气态材料能够与用第二反应性气态材料处理过的基质反应，其中所述第一反应性气态材料、第二反应性气态材料或者二者为挥发性有机化合物。在有机薄膜的沉积过程中，所述方法基本上在大气压下或高于大气压下进行，其中沉积过程的基质温度低于250℃。