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公开(公告)号：CN101809187B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200880109095.3
申请日：2008-09-17
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： C·杨 , L·M·欧文 , D·H·莱维 , P·J·考德里-科尔万 , D·C·弗里曼
IPC: C23C16/04 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/042 , C23C16/45551 , C23C16/545
Abstract: 一种用于形成构图薄膜的原子层沉积方法，包括：(a)提供基板；(b)向基板涂布含有沉积抑制剂材料的组合物，其中该沉积抑制剂材料是有机硅氧烷聚合物；和(c)在步骤(b)后或在与涂布沉积抑制剂材料的同时对沉积抑制剂材料进行构图，从而有效地提供没有沉积抑制剂材料的选择区域。该无机薄膜基本上仅沉积在没有沉积抑制剂材料的基板的选择区域中。
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公开(公告)号：CN101809187A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109095.3
申请日：2008-09-17
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： C·杨 , L·M·欧文 , D·H·莱维 , P·J·考德里-科尔万 , D·C·弗里曼
IPC: C23C16/04 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/042 , C23C16/45551 , C23C16/545
Abstract: 一种用于形成构图薄膜的原子层沉积方法，包括：(a)提供基板；(b)向基板涂布含有沉积抑制剂材料的组合物，其中该沉积抑制剂材料是有机硅氧烷聚合物；和(c)在步骤(b)后或在与涂布沉积抑制剂材料的同时对沉积抑制剂材料进行构图，从而有效地提供没有沉积抑制剂材料的选择区域。该无机薄膜基本上仅沉积在没有沉积抑制剂材料的基板的选择区域中。
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公开(公告)号：CN1178104C
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN01121294.2
申请日：2001-06-13
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： D·H·莱维 , R·P·斯扎杰夫斯基 , M·E·欧文 , L·M·欧文
CPC classification number: G03D13/002 , G03D15/005
Abstract: 用来处理热胶片的一种热处理亭子(7)可以为用户提供多种处理方案。这种亭子包括允许用户输入处理指令和/或信息的触摸屏(9)形式的用户控制器。热处理亭子适合接受需要处理的曝光胶片，并且按照处理指令执行打印。按照本发明的一个特征，用户可以在购买胶片时为处理胶片预付款。可以用胶片盒或胶片上的一种标记或标识符来指示这种预付款状态。当用户把曝光的胶片交给亭子进行处理时，这有助于简化用户与亭子的交流。
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公开(公告)号：CN1543589A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN01811093.2
申请日：2001-06-01
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: G03C7/305
CPC classification number: G03C1/49845 , C08F14/08 , G03C7/30511 , G03C7/30576 , Y10S430/156 , Y10S430/16
Abstract: 通过Lossen重排可使其热分解的照相有用的受保护基团包括例如由以下结构表示的化合物：本申请定义了上述结构中的取代基。该化合物具有好的活性并且在预定的条件下热激活时可用于保护照相有用的化合物比如显影剂。根据本发明的化合物尤其适用于彩色光热照相影像元件。
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公开(公告)号：CN1326112A
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：CN01119085.X
申请日：2001-05-25
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: G03C7/30576 , G03C7/305 , G03C7/30511
Abstract: 本发明涉及含有与右式(Ⅰ)化合物相结合的成像层的成像元件,其中取代基如说明书中定义。该化合物有良好的反应活性,并能封闭照相上有用的化合物,如显影剂,直至在预选的条件下热活化才释放出。按照本发明的化合物在彩色光热敏成像材料中特别有用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101809195B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN200880109120.8
申请日：2008-09-16
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： C·杨 , L·M·欧文 , D·H·莱维 , P·J·考德里-科尔万 , D·C·弗里曼
IPC: C23C16/455 , C23C16/04
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/042 , H01L21/02175 , H01L21/02178 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/3141 , H01L21/31616 , H01L51/0004
Abstract: 用于形成图案化薄膜的原子层沉积方法包括：提供基材；在基材上施加沉积抑制剂材料，其中所述沉积抑制剂材料是有机化合物或聚合物；和在步骤(b)之后或者在施加沉积抑制剂材料的同时使沉积抑制剂材料形成图案，以提供实际上不含沉积抑制机材料的基材选定区域。无机薄膜材料基本上只沉积在不含沉积抑制剂材料的基材的选定区域中。
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公开(公告)号：CN101809196B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200880109154.7
申请日：2008-09-24
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: C23C16/455 , C30B35/00 , H01L21/00 , H01L21/314
CPC classification number: H01L21/67173 , B33Y80/00 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , C23C16/54 , C30B25/14 , C30B35/00 , H01L21/6719 , H01L21/68
Abstract: 在ALD系统中维持至少两个涂布组件之间对准或位置关系的设备，该设备包括：在涂布部分中的多个涂布组件；用于支撑涂布组件的至少第一杆和第二杆；和用于支撑杆的至少第一杆装配结构和第二杆装配结构；其中各个涂布组件由第一杆和第二杆支撑，并且其中至少两个组件和第一杆和第二杆的结合确定涂布组件输出面的涂布部分型面。还公开制造该设备的方法。
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公开(公告)号：CN102017104A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200880109145.8
申请日：2008-09-24
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： P·J·考德里-科尔万 , D·H·莱维 , T·D·保利克 , D·C·弗里曼
IPC: H01L21/365
CPC classification number: H01L21/02576 , B33Y80/00 , C23C16/407 , C23C16/45504 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及一种制造用于晶体管中的锌氧化物基薄膜半导体的方法，包括在基材上薄膜沉积，包括提供多种气态材料，该气态材料包括第一，第二，和第三气态材料，其中第一气态材料是含锌挥发性材料和第二气态材料是对其具有反应性的，使得当第一或第二气态材料之一在基材的表面上，第一或第二气态材料的另一种将反应从而在基材上形成材料层，其中第三气态材料是惰性的和其中挥发性的含铟化合物被引入到第一反应性气态材料或附加的气态材料。
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公开(公告)号：CN1468389A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN01811023.1
申请日：2001-05-24
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: G03C8/4013 , G03C1/42 , G03C1/498 , G03C1/49845 , G03C7/28 , G03C8/402 , G03C8/408 , G03C2200/43 , G03C2200/52 , G03C2200/60 , Y10S430/165
Abstract: 本发明涉及一种彩色光热敏元件，其包含至少三种感光单元，它们在不同的波长范围有其各自的感光性，每种单元包含至少一种感光性卤化银乳剂、粘合剂和染料提供成色剂、以及在由结构(I)表示的热溶剂存在下的阻塞显影剂，其中，所述基团是如说明书中所定义的，以促进光热敏元件的热显影。
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公开(公告)号：CN1436317A
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN01811149.1
申请日：2001-06-01
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: G03C1/498
CPC classification number: G03C1/49845 , G03C1/34 , G03C1/49809 , G03C2200/42 , Y10S430/16
Abstract: 本发明涉及一种非感光有机银盐混合物在彩色光热敏成像系统中的应用，该系统包括用于彩色影像的阻塞显影剂。至少一种有机银盐是热显影过程中唯一的主银供体，至少一种其他有机银盐用量有效抑制光热敏成像元件在热显影过程中的灰雾，其用量是30000－60000mg/摩尔卤化银。在一个优选实施方案中，该系统包括至少两种有机银盐的混合物，其中第一种有机银盐cLogP为0.1－10，pKsp为7－14，而第二种有机银盐cLogP为0.1－10，pKsp为14－21。
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