公开(公告)号：CN113632248A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202080020594.6

申请日：2020-03-26

申请人： 优志旺电机株式会社

发明人： 杉山徹 ,  喜根井聪文 ,  饭塚和幸 ,  中村薰 ,  佐佐木真二

IPC分类号： H01L33/02

摘要： 实现发光波长超过1000nm、将光的取出效率比以往提高的红外LED元件。一种红外LED元件，具有：基板，包含InP，n型掺杂剂浓度为1×1017/cm3以上、小于3×1018/cm3；第一半导体层，形成在基板的上层，呈现n型；活性层，形成在第一半导体层的上层；第二半导体层，形成在活性层的上层，呈现p型；第一电极，形成在基板的面中的与形成有第一半导体层的一侧相反侧的第一面上；以及第二电极，形成在第二半导体层的上层，当从与基板的面正交的第一方向观察时，仅形成在第二半导体层的面的一部分区域中；主要的发光波长呈现1000nm以上。

公开(公告)号：CN113646907A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202080020248.8

申请日：2020-03-26

申请人： 优志旺电机株式会社

发明人： 饭塚和幸 ,  喜根井聪文 ,  中村薰 ,  杉山徹 ,  佐佐木真二

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/30 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

摘要： 实现发光波长超过1000nm、使光的取出效率比以往提高的红外LED元件。有关本发明的红外LED元件具有：基板，包含InP，第一导电型的掺杂剂浓度呈现小于3×1018/cm3；第一半导体层，形成在基板的上层，呈现第一导电型；活性层，形成在第一半导体层的上层；以及第二半导体层，形成在活性层的上层，呈现与第一导电型不同的第二导电型；主要的发光波长呈现1000nm以上、小于1800nm。