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公开(公告)号：CN105849918A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480070883.1
申请日：2014-09-19
申请人： 优志旺电机株式会社
IPC分类号： H01L33/24 , H01L21/205 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/12 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/007
摘要： 本发明实现抑制泄漏电流的发生而提高了发光效率的半导体发光元件。本发明的半导体发光元件的制造方法具有以下工序：在基板上形成n型半导体层的工序(a)；在n型半导体层上将发光层及阻挡层交替地层叠而形成活性层的工序(b)；和供给p型的掺杂剂而在活性层上形成p型半导体层的工序(c)，在工序(b)中，将阻挡层中的位于最靠近p型半导体层的最终阻挡层以与形成于该最终阻挡层内的凹部的直径相比更厚的膜来形成。
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公开(公告)号：CN113632248A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080020594.6
申请日：2020-03-26
申请人： 优志旺电机株式会社
IPC分类号： H01L33/02
摘要： 实现发光波长超过1000nm、将光的取出效率比以往提高的红外LED元件。一种红外LED元件，具有：基板，包含InP，n型掺杂剂浓度为1×1017/cm3以上、小于3×1018/cm3；第一半导体层，形成在基板的上层，呈现n型；活性层，形成在第一半导体层的上层；第二半导体层，形成在活性层的上层，呈现p型；第一电极，形成在基板的面中的与形成有第一半导体层的一侧相反侧的第一面上；以及第二电极，形成在第二半导体层的上层，当从与基板的面正交的第一方向观察时，仅形成在第二半导体层的面的一部分区域中；主要的发光波长呈现1000nm以上。
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公开(公告)号：CN100481310C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN03154359.6
申请日：2003-08-21
申请人： 优志旺电机株式会社
CPC分类号： H01J61/368 , H01K1/38
摘要： 本发明通过一种即使密封部的温度很高，也能可靠地防止埋设在密封部中的钼制金属箔和钼制外部引线的氧化、使用寿命长的金属箔密封灯。本发明的金属箔密封灯在玻璃制的密封体(1)的端部具有密封部(3)，设有埋设在该密封部(3)内的钼制金属箔(2)以及钼制外部引线(4)，其特征在于，在埋设在密封部(3)内的金属箔(2)和外部引线(4)的表面上形成由结晶性钼酸盐构成的保护膜。
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公开(公告)号：CN113646907A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080020248.8
申请日：2020-03-26
申请人： 优志旺电机株式会社
摘要： 实现发光波长超过1000nm、使光的取出效率比以往提高的红外LED元件。有关本发明的红外LED元件具有：基板，包含InP，第一导电型的掺杂剂浓度呈现小于3×1018/cm3；第一半导体层，形成在基板的上层，呈现第一导电型；活性层，形成在第一半导体层的上层；以及第二半导体层，形成在活性层的上层，呈现与第一导电型不同的第二导电型；主要的发光波长呈现1000nm以上、小于1800nm。
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公开(公告)号：CN1487561A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03154359.6
申请日：2003-08-21
申请人： 优志旺电机株式会社
IPC分类号： H01K1/38
CPC分类号： H01J61/368 , H01K1/38
摘要： 本发明通过一种即使密封部的温度很高，也能可靠地防止埋设在密封部中的钼制金属箔和钼制外部引线的氧化、使用寿命长的金属箔密封灯。本发明的金属箔密封灯在玻璃制的密封体1的端部具有密封部3，设有埋设在该密封部3内的钼制金属箔2以及钼制外部引线4，其特征在于，在埋设在密封部3内的金属箔2和外部引线4的表面上形成由结晶性钼酸盐构成的保护膜。
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