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公开(公告)号：CN120074386A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411307508.6
申请日：2024-09-19
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor： 住吉高志
Abstract: 本发明提供多赫蒂放大电路，具备：分配节点，将被输入的输入信号分配为第一信号和第二信号；主放大器，具备第一GaN HEMT，该主放大器对第一信号进行放大，并将放大后的第一信号作为第三信号输出；第一峰值放大器，具备第二GaN HEMT，该第一峰值放大器对第二信号进行放大，并将放大后的第二信号作为第四信号输出；以及合成节点，将第三信号和第四信号合成，并将合成后的信号作为输出信号输出至输出端子，第一电长度比第二电长度短，其中，该第一电长度是分配节点与主放大器之间的电长度和主放大器与合成节点之间的电长度的合计的电长度，该第二电长度是分配节点与第一峰值放大器之间的电长度和第一峰值放大器与合成节点之间的电长度的合计的电长度。
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公开(公告)号：CN120074389A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411582332.5
申请日：2024-11-07
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor： 住吉高志
Abstract: 本发明提供多赫蒂放大电路和半导体装置。多赫蒂放大电路具备：分配器，将被输入的输入信号分配为第一信号和第二信号；电路基板；第一放大器，设于所述电路基板上，对所述第一信号进行放大，并将放大后的信号作为第四信号输出；第二放大器，设于所述电路基板上，对所述第二信号进行放大，并将放大后的信号作为第五信号输出；合成节点，将所述第四信号与所述第五信号合成，并将合成后的信号作为输出信号输出至输出端子；开路短截线，该开路短截线的端部电连接于所述分配器与所述第一放大器之间的路径；以及第一阻抗变换器，该第一阻抗变换器的第一端电连接于所述第二放大器，该第一阻抗变换器的第二端电连接于所述合成节点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120074390A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411582550.9
申请日：2024-11-07
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor： 住吉高志
Abstract: 本发明提供多赫蒂放大电路和半导体装置。多赫蒂放大电路具备：分配器，将被输入的输入信号分配为第一信号、第二信号以及第三信号；主放大器，对第一信号进行放大，并将放大后的信号作为第四信号输出；第一峰值放大器，对第二信号进行放大，并将放大后的信号作为第五信号输出；第二峰值放大器，对第三信号进行放大，并放大后的信号作为第六信号输出；合成器，将第四信号、第五信号以及第六信号合成，并将合成后的信号作为输出信号输出至输出端子；以及半导体芯片，搭载有主放大器、第一峰值放大器以及第二峰值放大器，供第二峰值放大器导通的输入信号的输入功率大于供第一峰值放大器导通的输入信号的输入功率，主放大器与第一峰值放大器邻接。
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公开(公告)号：CN120074388A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411575288.5
申请日：2024-11-06
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor： 住吉高志
Abstract: 本发明提供能实现宽带化的多赫蒂放大电路。多赫蒂放大电路具备：分配节点(N1)，将被输入的输入信号分配为第一信号和第二信号；主放大器(10)，对所述第一信号进行放大，并将放大后的第一信号作为第三信号输出；第一峰值放大器(12)，对所述第二信号进行放大，并将放大后的第二信号作为第四信号输出；合成节点(N2)，将所述第三信号和所述第四信号合成，并将合成后的信号作为输出信号输出至输出端子；以及陷波滤波器(21)，连接于所述分配节点与所述第一峰值放大器之间，压制工作频带的中心频率的信号。
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公开(公告)号：CN120074387A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411443149.7
申请日：2024-10-16
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor： 住吉高志
Abstract: 本公开提供一种能提高特性的多赫蒂放大电路。多赫蒂放大电路具备：分配器，将输入的输入信号分配成第一信号、第二信号以及第三信号，将所述第二信号的功率分配得比所述第三信号的功率大；主放大器(10)，将所述第一信号放大，将放大后的信号作为第四信号输出；第一峰值放大器(12)，将所述第二信号放大，将放大后的信号作为第五信号输出；第二峰值放大器(14)，将所述第三信号放大，将放大后的信号作为第六信号输出；以及合成器，将所述第四信号、所述第五信号以及所述第六信号合成，将合成后的信号作为输出信号输出至输出端子，供所述第一峰值放大器导通的所述输入信号的输入功率小于供所述第二峰值放大器导通的所述输入功率。
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公开(公告)号：CN120049845A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202411575531.3
申请日：2024-11-06
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor： 住吉高志
Abstract: 本发明涉及放大电路和多赫蒂放大电路。本发明提供一种能提高特性的放大电路。放大电路具备：晶体管(Q1)，具备供高频信号输入的输入端子和供放大后的高频信号输出的输出端子；电感器(L)，在所述输入端子与所述输出端子之间与所述晶体管并联连接；以及电容器(C)，在所述输入端子与所述输出端子之间与所述晶体管并联连接，并且所述电容器串联连接于所述电感器。
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公开(公告)号：CN119582766A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202410812665.6
申请日：2024-06-22
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor： 住吉高志
Abstract: 本发明提供能抑制特性的劣化的放大电路。放大电路具备：分配器，将被输入的输入信号分配为第一信号和第二信号；第一放大器，对所述第一信号进行放大，并将放大后的信号作为第三信号输出至第一节点；第二放大器，对所述第二信号进行放大，并将放大后的信号作为第四信号输出至第二节点；合成器，对所述第三信号和所述第四信号进行合成，并将合成后的信号作为输出信号输出至输出端子；以及处理电路，具备供所述第一节点和所述第二节点电耦合的输入节点，所述第一节点与所述输入节点的耦合度比所述第二节点与所述输入节点的耦合度大，使具有比所述第一放大器和所述第二放大器的工作频带低的频率的、输入至所述输入节点的信号通过基准电位。
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