可变衰减器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110611495A

    公开(公告)日:2019-12-24

    申请号:CN201910504565.6

    申请日:2019-06-12

    Inventor: 大矢章雄

    Abstract: 本发明涉及一种可变衰减器。可变衰减器是衰减器,其通过耦合具有对应于输入信号的波长λ的电长度λ/4的两条传输线而形成,具有一条传输线的一端作为输入端子,具有一条传输线的另一端作为贯通端子,具有另一条传输线的一端作为耦合端子,并且具有另一条传输线的另一端作为输出端子,其中,可变衰减器在贯通端子和耦合端子这二者处具有相同的阻抗的电阻器对,并且在输入端子和输出端子这二者处具有相同阻抗的电阻器对。

    可变衰减器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108512527B

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN201810155106.7

    申请日:2018-02-23

    Abstract: 公开了一种可变衰减器(v‑ATT)。v‑ATT包括输入端子、输出端子、在所述输入和输出端子之间的传输线、设置在所述传输线和地之间的至少两个级、以及偏压单元。每个级包括场效应晶体管(FET),其根据提供至栅极的偏压来改变所述传输线和所述地之间的阻抗。偏压单元产生偏压,每个偏压都提供给各个级。所述v‑ATT的特征之一是:至少一个级接收至少一个偏压,所述至少一个偏压不同于提供至所述至少一个级中的其他级的偏压。

    可变衰减器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108512527A

    公开(公告)日:2018-09-07

    申请号:CN201810155106.7

    申请日:2018-02-23

    CPC classification number: H03H11/245 H01P1/22

    Abstract: 公开了一种可变衰减器(v-ATT)。v-ATT包括输入端子、输出端子、在所述输入和输出端子之间的传输线、设置在所述传输线和地之间的至少两个级、以及偏压单元。每个级包括场效应晶体管(FET),其根据提供至栅极的偏压来改变所述传输线和所述地之间的阻抗。偏压单元产生偏压,每个偏压都提供给各个级。所述v-ATT的特征之一是:至少一个级接收至少一个偏压,所述至少一个偏压不同于提供至所述至少一个级中的其他级的偏压。

    可变衰减器
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110611495B

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN201910504565.6

    申请日:2019-06-12

    Inventor: 大矢章雄

    Abstract: 本发明涉及一种可变衰减器。可变衰减器是衰减器,其通过耦合具有对应于输入信号的波长λ的电长度λ/4的两条传输线而形成,具有一条传输线的一端作为输入端子,具有一条传输线的另一端作为贯通端子,具有另一条传输线的一端作为耦合端子,并且具有另一条传输线的另一端作为输出端子,其中,可变衰减器在贯通端子和耦合端子这二者处具有相同的阻抗的电阻器对,并且在输入端子和输出端子这二者处具有相同阻抗的电阻器对。

    半导体放大电路
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118783903A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202410364979.4

    申请日:2024-03-28

    Inventor: 大矢章雄

    Abstract: 半导体放大电路具备:电路基板;前级放大器,包括隔着基准线并排配置的第一晶体管和第二晶体管;后级放大器,以远离前级放大器的输出端子的方式配置;以及级间匹配电路,使从前级放大器输出的放大信号向后级放大器传播,级间匹配电路具有相位调整线路和匹配电路,相位调整线路的第一端部连接于前级放大器的输出端子,相位调整线路的第二端部连接于端子,匹配电路的输入端子连接于端子,匹配电路的输出端子连接于后级放大器的输入端子,相位调整线路的第一端部和第二端部配置于基准线上,相位调整线路具有以基准线为基准呈线对称的形状。

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