公开(公告)号：CN113345977B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202110223838.7

申请日：2021-03-01

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 米田昌博 ,  海老原幸司 ,  沖本拓也

IPC: H10F30/225 ,  H10F77/14 ,  H10F77/40

Abstract: 本发明涉及半导体光接收元件。一种半导体光接收元件，其包括第一半导体层、波导型光电二极管结构、光波导结构以及第四半导体层。所述波导型光电二极管结构被设置在第一半导体层上。所述波导型光电二极管结构包括光吸收层、第二半导体层、倍增层和第三半导体层。所述光波导结构被设置在所述第一半导体层上。光波导结构包括光波导芯层和包覆层。所述波导型光电二极管结构的端面面对光波导结构的端面。所述第四半导体层位于波导型光电二极管结构的端面和光波导结构的端面之间。所述第四半导体层与波导型光电二极管结构的端面的所述倍增层相接触。

公开(公告)号：CN113345977A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110223838.7

申请日：2021-03-01

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 米田昌博 ,  海老原幸司 ,  沖本拓也

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明涉及半导体光接收元件。一种半导体光接收元件，其包括第一半导体层、波导型光电二极管结构、光波导结构以及第四半导体层。所述波导型光电二极管结构被设置在第一半导体层上。所述波导型光电二极管结构包括光吸收层、第二半导体层、倍增层和第三半导体层。所述光波导结构被设置在所述第一半导体层上。光波导结构包括光波导芯层和包覆层。所述波导型光电二极管结构的端面面对光波导结构的端面。所述第四半导体层位于波导型光电二极管结构的端面和光波导结构的端面之间。所述第四半导体层与波导型光电二极管结构的端面的所述倍增层相接触。

公开(公告)号：CN113345978B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202110224233.X

申请日：2021-03-01

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 米田昌博 ,  沖本拓也

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明涉及一种光波导型光探测器。第一半导体层是第一导电类型的。倍增层是第一导电类型的并且被设置在所述第一半导体层上。光波导结构具有端面并且被设置在所述倍增层的第一区域上。光电二极管结构具有端面并且被设置在所述倍增层的第二区域上。所述光电二极管结构具有依次布置的第二导电类型的第三半导体层、本征导电类型的或第二导电类型的光吸收层、第二导电类型的第二半导体层。所述光波导结构包括光波导芯层和包覆层。所述波导型光电二极管结构的所述端面和所述光波导结构的所述端面接触。

公开(公告)号：CN113345978A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110224233.X

申请日：2021-03-01

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 米田昌博 ,  沖本拓也

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明涉及一种光波导型光探测器。第一半导体层是第一导电类型的。倍增层是第一导电类型的并且被设置在所述第一半导体层上。光波导结构具有端面并且被设置在所述倍增层的第一区域上。光电二极管结构具有端面并且被设置在所述倍增层的第二区域上。所述光电二极管结构具有依次布置的第二导电类型的第三半导体层、本征导电类型的或第二导电类型的光吸收层、第二导电类型的第二半导体层。所述光波导结构包括光波导芯层和包覆层。所述波导型光电二极管结构的所述端面和所述光波导结构的所述端面接触。