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公开(公告)号：CN112513700B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201980050173.5
申请日：2019-08-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明的一个实施方式的光纤线路包括HNLF、SMF和MFD转变部。MFD转变部由在HNLF和SMF的熔接点对接的该HNLF和该SMF二者的端部构成，并且是在100μm距离上MFD以最大值和最小值之间的差为0.3μm以上的方式变化的区间。HNLF和SMF在1550nm波长的连接损耗为HNLF及SMF两者的恒定部的理想对接损耗的五分之一以下。MFD转变部具有10mm以下的全长。在HNLF的端部中位于熔接点的一个端面和距该一个端面50μm以上且300μm以下的另一个端面之间的区域中，MFD从另一个端面向一个端面单调增大。
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公开(公告)号：CN107817552A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710816349.6
申请日：2017-09-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02B6/036
CPC classification number: G02B6/036 , G02B6/02395 , G02B6/03627 , G02B6/03666 , G02B6/443 , G02B6/447 , G02B6/4482
Abstract: 本发明提供一种具有掺杂有Ge的芯部的低衰减光纤。该光纤由玻璃部分和围绕玻璃部分形成的覆盖部分组成。玻璃部分由石英玻璃制成，并且包括：掺Ge中央芯部区域；光学包层，其围绕中央芯部区域形成；以及套层，其围绕覆层形成。保持Δ1>Δ3≥Δ2的关系，其中，Δ1、Δ2和Δ3分别是中央芯部区域、覆层和套层相对于纯石英玻璃的相对折射率差。玻璃部分的沿着纵向的平均外径在125±0.5μm的范围内，并且3σ在0.1μm至0.5μm的范围内，其中，σ是外径的沿着纵向的标准差。
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公开(公告)号：CN106908893A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201611021925.X
申请日：2016-11-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02B6/02
Abstract: 本发明提供一种光纤和光源装置，该光纤具有短的零色散波长、高的非线性度，并可以以高效率产生宽频带超连续谱光，该光源装置可以通过使用所述光纤来输出宽频带超连续谱光。光源装置包括：种子光源，其输出中心波长为1000nm以上且1650nm以下的光；以及光纤，其接收从种子光源输出的光，允许光传播通过光纤，在光传播通过光纤的同时根据非线性光学现象产生具有扩展波段的宽频带光，并且输出宽频带光。光纤由石英玻璃构成，具有1290nm至1350nm的零色散波长，并且在波长为1550nm时具有14μm2以下的有效面积。
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公开(公告)号：CN104136951B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201380011007.7
申请日：2013-02-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 山本义典
IPC: G02B6/036
CPC classification number: G02B6/02 , G02B6/02271 , G02B6/0286 , G02B6/036
Abstract: 根据本发明的实施例的光纤设置有中心纤芯、侧纤芯和包层。中心纤芯包括环状部，相对折射率差在环状部的圆周区域中不连续地进行变化，并且当设定a为从中心纤芯到环状部的外侧的半径且c为从中心纤芯到侧纤芯中的相对折射率差为最大的位置的半径时，以使c/a在2.25～2.50的范围内的形状来实现折射率分布，以便能够将色散值、光缆截止波长、直径20mm下的弯曲损耗、以及有效面积设定在所需范围内。
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公开(公告)号：CN108873156B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201810447918.9
申请日：2018-05-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 山本义典
Abstract: 一种光纤，包括：芯部，其具有最大折射率n1；以及包层，其围绕芯部设置并且包层的折射率n0低于最大折射率n1。芯部的径向折射率分布用1.5至10的指数α来表达。在芯部的中央的表达为Δ1＝100×(n12‑n02)/(2n12)的相对折射率差Δ1为0.3％至0.5％。芯部的直径2a为9μm至14μm。零色散波长为1300nm至1324nm。光缆截止波长λcc为1260nm以下。在以30mm的弯曲直径将光纤卷绕十圈的情况下，波长为1550nm时的弯曲损耗为0.25dB以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109983379B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201780072653.2
申请日：2017-11-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本实施例涉及光纤线路等，该光纤线路通过将具有含氟包层的单模光纤与大Aeff光纤进行TEC连接而构造。这两种光纤之间的连接状态设定成使得在基模中以dB表示的连接损耗等于或小于在1550nm波长处以dB表示的理想对接损耗的55％。
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公开(公告)号：CN112513700A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050173.5
申请日：2019-08-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明的一个实施方式的光纤线路包括HNLF、SMF和MFD转变部。MFD转变部由在HNLF和SMF的熔接点对接的该HNLF和该SMF二者的端部构成，并且是在100μm距离上MFD以最大值和最小值之间的差为0.3μm以上的方式变化的区间。HNLF和SMF在1550nm波长的连接损耗为HNLF及SMF两者的恒定部的理想对接损耗的五分之一以下。MFD转变部具有10mm以下的全长。在HNLF的端部中位于熔接点的一个端面和距该一个端面50μm以上且300μm以下的另一个端面之间的区域中，MFD从另一个端面向一个端面单调增大。
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公开(公告)号：CN106662704B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201580040536.9
申请日：2015-08-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02B6/036
CPC classification number: G02B6/03627 , C03B2203/22 , C03B2203/23 , C03B2203/24 , G02B6/02019 , G02B6/03611 , G02B6/0365
Abstract: 本实施例涉及一种具有W型折射率分布或沟槽型折射率分布的光纤，其中，微弯损耗在实际使用的波长范围内得到减小。光纤设置有：中心芯部；内包层，其包围中心芯部；以及外包层，其包围内包层。内包层具有比至少中心芯部的折射率低的折射率，而外包层具有比中心芯部的折射率低但比内包层的折射率高的折射率。微弯损耗的波长相关性具有最大值，并且微弯损耗为最大值的10％时的最短波长λth长于1560nm。
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