公开(公告)号：CN106662704B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201580040536.9

申请日：2015-08-27

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 川口雄挥 ,  山本义典 ,  平野正晃

IPC分类号： G02B6/036

CPC分类号： G02B6/03627 ,  C03B2203/22 ,  C03B2203/23 ,  C03B2203/24 ,  G02B6/02019 ,  G02B6/03611 ,  G02B6/0365

摘要： 本实施例涉及一种具有W型折射率分布或沟槽型折射率分布的光纤，其中，微弯损耗在实际使用的波长范围内得到减小。光纤设置有：中心芯部；内包层，其包围中心芯部；以及外包层，其包围内包层。内包层具有比至少中心芯部的折射率低的折射率，而外包层具有比中心芯部的折射率低但比内包层的折射率高的折射率。微弯损耗的波长相关性具有最大值，并且微弯损耗为最大值的10％时的最短波长λth长于1560nm。

公开(公告)号：CN107257933A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201580064558.9

申请日：2015-09-23

申请人： 康宁股份有限公司

发明人： 李明军 ,  S·K·米什拉 ,  M·梅耶克 ,  W·A·乌德 ,  A·R·查克哈里安

IPC分类号： G02B6/02

CPC分类号： G02B6/02019 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/50 ,  C03B2203/22 ,  C03B2203/23 ,  C03B2203/24 ,  G02B6/02023 ,  G02B6/02309 ,  G02B6/0281 ,  G02B6/0288 ,  G02B6/03622 ,  G02B6/03638 ,  G02B6/0365 ,  H04B10/2543 ,  H04B10/2581

摘要： 公开了一种具有大有效面积的准单模光纤。所述准单模光纤具有半径大于5μm的纤芯和包层区段，所述包层区段被配置成用于支持基模和高阶模。所述基模具有大于170μm2的有效面积以及1530nm波长下不大于0.17dB/km的衰减。所述高阶模具有1530nm波长至少1.0dB/km的衰减。所述准单模光纤具有对于1625nm波长、对于60mm的弯曲直径，小于0.02dB/匝的弯曲损耗。

公开(公告)号：CN102149648B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN200980135067.3

申请日：2009-09-09

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 乙坂哲也

IPC分类号： C03B37/018 ,  C03B37/014

CPC分类号： C03B37/01446 ,  C03B37/01237 ,  C03B37/0124 ,  C03B37/01426 ,  C03B37/0146 ,  C03B37/01466 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/31 ,  C03B2203/23 ,  C03B2203/24 ,  C03B2203/26 ,  C03B2207/50

摘要： 本发明提供一种能够得到具有沟槽型折射率分布、传输损耗小、与标准单模光纤的连接损耗小、并且耐弯特性良好的光纤的光纤母材的制造方法。本发明的光纤母材的制造方法，用于制造至少包括纤芯、第一包层、和含氟的第二包层的光纤母材，该方法的特征在于，包括：准备具有纤芯和第一包层的初始母材的初始母材准备步骤；将玻璃原料供应给高频感应热等离子炬、合成玻璃微粒并使其沉积在母材上，来制作多孔中间玻璃母材的等离子沉积步骤；以及在含氟气氛中加热该多孔中间玻璃母材而使其玻璃化，来形成具有纤芯、第一包层和含氟的第二包层的中间玻璃母材的中间玻璃母材形成步骤。

公开(公告)号：CN102225843B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201110123043.5

申请日：2011-05-13

申请人： 烽火通信科技股份有限公司

发明人： 陈伟 ,  李诗愈 ,  莫琦 ,  罗文勇 ,  柯一礼 ,  黄文俊 ,  胡福明

IPC分类号： C03B37/014

CPC分类号： C03B37/01211 ,  C03B2201/12 ,  C03B2203/24

摘要： 一种光纤预制棒的制造方法，包括：(1)采用轴向气相沉积VAD工艺制备光纤芯棒；(2)采用等离子化学气相沉积PCVD工艺制备掺氟下陷包层，与(1)中制备的光纤芯棒熔缩成光纤芯棒预制件；(3)采用外部气相沉积OVD工艺制备光纤芯棒预制件的外包层，最终烧结成透明的光纤预制棒；所述光纤芯棒包含包层，光纤芯棒的包层直径与光纤芯棒的芯直径二者比值在3.2～4.6之间；所述掺氟下陷包层起始位置的直径与所述芯直径的比值在3.2～4.6之间，所述掺氟下陷包层的宽度与芯直径的比值在0.24～0.49之间。本方法解决了单模光纤高效规模化生产的关键技术，大幅度提高弯曲不敏感单模光纤预制棒的制造效率，降低生产成本。

公开(公告)号：CN101598834A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910062855.6

申请日：2009-06-26

申请人： 长飞光纤光缆有限公司

发明人： 韩庆荣 ,  杨晨 ,  李婧 ,  罗杰

IPC分类号： G02B6/036 ,  C23C16/44 ,  C23C16/30 ,  C03B37/018 ,  C03B37/027 ,  C03C25/38

CPC分类号： C03B37/018 ,  C03B37/01211 ,  C03B37/014 ,  C03B37/0183 ,  C03B2201/08 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/31 ,  C03B2203/23 ,  C03B2203/24 ,  C23C16/045 ,  C23C16/402 ,  C23C16/56 ,  G02B6/02238 ,  G02B6/0283 ,  G02B6/0365

摘要： 本发明涉及一种单模光纤及其制造方法，包括有芯层、内包层、下陷包层和纯SiO2玻璃外包层，其特征在于所述的芯层由掺锗和氟的石英玻璃组成，芯层直径a为8.0～8.8微米，Δ1为0.35～0.38％，ΔF为－0.09±0.02％；所述的内包层由掺锗和氟的石英玻璃组成，内包层直径b为18～21微米，Δ2为0±0.02％，所述的下陷包层由掺氟的石英玻璃组成，下陷包层直径c为26～36微米，在下陷包层外界面的Δ32为－0.22％至－0.35％，在下陷包层内界面的Δ31为－0.20％至－0.35％，且Δ32≤Δ31。本发明在提高光纤抗弯曲性能的同时，可使光纤在弯曲过程中因弯曲所引起的附加应力不会轻易传递到芯层区域而引起衰减的增加，从而有效提高光纤的机械性能和使用寿命。

公开(公告)号：CN1569704A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410037806.4

申请日：2004-05-10

申请人： 烽火通信科技股份有限公司

发明人： 陈伟 ,  唐仁杰 ,  李诗愈 ,  李进延 ,  陆大方 ,  成煜 ,  李海清

IPC分类号： C03B37/012 ,  C03B37/014 ,  C03B37/018 ,  C03B37/02 ,  G02B6/00

CPC分类号： C03B37/01807 ,  C03B2201/22 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2203/24 ,  C03B2207/86 ,  Y02P40/57

摘要： 本发明涉及一种低水峰光纤的制造方法，特别涉及一种采用改进的化学气相沉积(MCVD)工艺制造低水峰光纤的方法，采用本发明方法所制造出的单模光纤在1310nm波长处的衰减系数小于0.320 dB/km，氢老化试验后测量1383nm波长处的羟基峰衰减系数小于1310nm波长处的衰减系数，其衰减系数小于0.310dB/km。

公开(公告)号：CN1094906C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN98103143.9

申请日：1998-06-19

申请人： 卢森特技术有限公司

发明人： 章凯慧 ,  D·卡利斯 ,  T·J·米勒 ,  M·L·皮尔萨尔

IPC分类号： C03B37/012 ,  G02B6/02

CPC分类号： C03B37/01211 ,  C03B37/01228 ,  C03B37/01237 ,  C03B37/01248 ,  C03B37/01446 ,  C03B2201/04 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/31 ,  C03B2203/24 ,  C03C25/106 ,  C03C25/12 ,  G02B6/02 ,  Y02P40/57

摘要： 一种在1385nm处损耗极低的单模光纤[700]及其实际制法。芯棒[20]用轴向气相淀积法制作，具有小于7.5的淀积包层/芯层比(D/d)。芯棒在含氯或氟的约1200℃环境下脱水，使OH含量降到小于0.8ppb，然后在约1500℃氦气中固结，将疏松灰状体转变成玻璃。固结的芯棒用氧—氢吹管拉伸，在棒表面产生OH离子层，该层由等离子体蚀刻除去。最后芯棒装入适当低OH含量的玻璃管[40]中。之后，管塌缩到棒上成为预制棒[60]，再将其拉制成光纤。

公开(公告)号：CN1337926A

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：CN00803140.1

申请日：2000-01-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 吴成国 ,  徐晚硕

IPC分类号： C03C13/04 ,  G02B6/22

CPC分类号： G02B6/03694 ,  C03B37/01807 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/31 ,  C03B2203/22 ,  C03B2203/24 ,  G02B6/03627 ,  Y02P40/57

摘要： 一种光纤预型坯及其制备方法。在本发明中,不含P2O5的一个外OH阻挡层和一个内OH阻挡层在沉积过程中分别沉积于基质管与包层之间,包层与核心层之间。另外,在指向核心层中心的方向上折射指数增加。

公开(公告)号：CN1241542A

公开(公告)日：2000-01-19

申请号：CN99110356.4

申请日：1999-07-14

申请人： 卢森特技术有限公司

发明人： P·F·格洛迪斯 ,  C·F·格里德利 ,  D·P·杰布罗诺韦斯基 ,  D·卡利什 ,  K·L·沃克

IPC分类号： C03B37/018

CPC分类号： C03B37/01211 ,  C03B37/01869 ,  C03B37/01884 ,  C03B37/01892 ,  C03B2201/02 ,  C03B2201/04 ,  C03B2201/075 ,  C03B2203/24

摘要： 一种通过改性化学蒸汽沉积(MCVD)工艺制造大的光纤预型件(303)及其制造方法。其包括在一旋转的玻璃管(33)的内表面上沉积出连续的芯核及包覆材料层,该玻璃管的氢氧离子含量小于按重量每百万0.5份。然后使管向内坍塌,形成一芯棒(301)。在芯棒(301)形成后,对其进行等离子蚀刻,以去除污物,以形成一大预型件。

公开(公告)号：CN108349781A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680064063.0

申请日：2016-10-27

申请人： 康宁股份有限公司

发明人： K·D·比林斯 ,  D·C·布克班德 ,  P·A·奇鲁辛斯基 ,  R·C·穆尔 ,  P·坦登

IPC分类号： C03B37/027 ,  C03B37/029 ,  C03B37/03 ,  G02B6/02 ,  G02B6/028 ,  G02B6/036

CPC分类号： C03B37/02718 ,  C03B37/0253 ,  C03B37/02727 ,  C03B37/029 ,  C03B37/032 ,  C03B2201/02 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/31 ,  C03B2201/50 ,  C03B2203/224 ,  C03B2203/24 ,  C03B2203/26 ,  C03B2205/42 ,  C03B2205/44 ,  C03B2205/55 ,  C03B2205/56 ,  C03B2205/60 ,  C03C25/106 ,  G02B6/02004 ,  G02B6/02009 ,  G02B6/0281 ,  G02B6/03622 ,  G02B6/03627 ,  G02B6/03633 ,  G02B6/03694

摘要： 根据一些实施方式，加工光纤的方法包括如下步骤：(i)以至少30m/s的拉制速率拉制光纤；和(ii)在气体中冷却经过拉制的光纤，平均冷却速率小于5000℃/s，从而所述冷却使得光纤的温度从1500-1700℃的进入温度降低到1200-1400℃的另一个温度，气体处于800-1500℃的温度；以及对于一个atm(大气压)绝对压力下的800℃至1500℃的范围内的至少一个温度，气体的导热系数κ不大于1.5x10-4卡/cm-s-K。