公开(公告)号：CN110198916A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201880007165.8

申请日：2018-01-16

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人岐阜大学

Inventor： 石川真二 ,  俵山博匡 ,  奥野拓也 ,  斋藤崇广 ,  近江靖则 ,  上野恭平

IPC: C01B39/38 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  B01D71/02

Abstract: 一种沸石膜，其为在无机氧化物多孔基材上形成的MFI型沸石膜，其中，在所述沸石膜的通过以CuKα射线作为射线源的X射线衍射测定得到的衍射图谱中，在以衍射角7.3°～8.4°处显示的、晶格面归属于011和/或101面的衍射峰的强度为基准时，在衍射角8.4°～9.0°处显示的、晶格面归属于200和/或020面的衍射峰的强度为0.3以上。

公开(公告)号：CN110177614A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201880007145.0

申请日：2018-01-15

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人岐阜大学

Inventor： 石川真二 ,  俵山博匡 ,  奥野拓也 ,  斋藤崇广 ,  近江靖则 ,  上野恭平

IPC: B01D69/12 ,  B01D69/10 ,  B01D71/02 ,  C01B37/02

Abstract: 一种分离膜的制造方法，其为在无机氧化物多孔基材上形成了沸石膜的分离膜的制造方法，其中，所述基材的沸石形成部分的主要成分为非晶质SiO2，所述分离膜的制造方法包含：在所述基材的表面形成沸石的晶种以及含有结构导向剂的碱性成分的第一工序、和在加热水蒸气气氛下对在所述第一工序中得到的形成体进行处理的第二工序，并且在所述基材表面形成沸石膜。