降能器及具备该降能器的带电粒子照射系统

    公开(公告)号:CN102763169B

    公开(公告)日:2015-07-22

    申请号:CN201180004541.6

    申请日:2011-11-16

    发明人: 上田隆正

    IPC分类号: G21K3/00 A61N5/10 G21K5/04

    摘要: 本发明提供一种可调节带电粒子的能量的衰减量,并且可调节带电粒子束的射束束径扩大的降能器及具备降能器的带电粒子照射系统。在降能器(10)中,设为具备衰减材料(11)的结构,使入射至衰减材料的带电粒子减速来衰减能量。设置向第1轴线方向X驱动衰减材料(11)的能量调整用驱动构件,并改变带电粒子相对于第1衰减材料的入射位置,从而可调节带电粒子的衰减量。另外,设置向第2轴线方向Y驱动衰减材料(11)的射束束径调整用驱动构件,并改变衰减材料(11)在带电粒子束的前进方向上的位置,从而调节射束束径扩大。

    RI制造装置及靶容纳装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115132394A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210318662.8

    申请日:2022-03-29

    发明人: 上田隆正

    IPC分类号: G21G1/10 G21K5/08

    摘要: 本发明涉及RI制造装置及靶容纳装置,能够提供能够提高冷却效率的靶容纳装置及能够提高核反应的效率的RI制造装置。RI制造装置(1)具备冷却流路(46、48),上述冷却流路(46、48)能够供冷却介质流通,使得经由相对于容纳部(3)围绕照射轴(RL)设置的传热壁部(41、42),从该传热壁部(41、42)的外周侧对容纳部(3)进行冷却。此时,通过使冷却介质流过冷却流路(46、48),能够经由围绕照射轴(RL)的传热壁部(41、42),以照射轴为基准从比所述容纳部更靠外侧的位置对容纳部(3)的靶进行冷却。如此,能够通过内部空间(31A、31B)及冷却流路(46、48),从不同方向对靶进行冷却。

    降能器及具备该降能器的带电粒子照射系统

    公开(公告)号:CN102763169A

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201180004541.6

    申请日:2011-11-16

    发明人: 上田隆正

    IPC分类号: G21K3/00 A61N5/10 G21K5/04

    摘要: 本发明提供一种可调节带电粒子的能量的衰减量,并且可调节带电粒子束的射束束径扩大的降能器及具备降能器的带电粒子照射系统。在降能器(10)中,设为具备衰减材料(11)的结构,使入射至衰减材料的带电粒子减速来衰减能量。设置向第1轴线方向X驱动衰减材料(11)的能量调整用驱动构件,并改变带电粒子相对于第1衰减材料的入射位置,从而可调节带电粒子的衰减量。另外,设置向第2轴线方向Y驱动衰减材料(11)的射束束径调整用驱动构件,并改变衰减材料(11)在带电粒子束的前进方向上的位置,从而调节射束束径扩大。