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公开(公告)号：CN108877892A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810426258.6
申请日：2018-05-07
申请人： 瓦里安医疗系统公司
发明人： A·E·马斯洛维斯基 , A·王 , J·斯达-拉克 , 孙明山 , T·韦尔林
CPC分类号： A61B6/5282 , A61B6/032 , A61B6/4035 , A61B6/4085 , A61B6/483 , G01N23/046 , G06T5/00 , G06T5/002 , G06T7/0012 , G06T11/005 , G06T11/20 , G06T2207/10081 , G09B23/286 , G21K1/10 , G21K5/04
摘要： 根据本公开的至少一些实施方案，提供一种用来估算包含在用于计算机断层成像(CT)重建的x射线投影中的散射辐射的过程。所述过程可基于使用x射线辐射源和检测器面板由对象的CT扫描生成的多个投影图像来构建对象模型。所述过程可基于所述x射线辐射源构建虚拟辐射源和基于所述检测器面板构建虚拟检测器面板。所述过程可通过模拟从所述虚拟辐射源发射、穿过所述对象模型并且由所述虚拟检测器面板检测的粒子的宏观行为来执行所述对象模型的模拟CT扫描。并且所述过程可基于在所述对象模型的所述模拟CT扫描期间散射的第一粒子子集来生成模拟散射图像。
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公开(公告)号：CN105359038B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201480034718.0
申请日：2014-06-17
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·尼基佩洛维 , O·弗里吉恩斯 , G·德弗里斯 , E·鲁普斯特拉 , V·巴尼内 , P·德加格 , R·唐克 , H-K·尼恩海斯 , B·克瑞金加 , W·恩格伦 , O·鲁伊藤 , J·艾科曼斯 , L·格里敏克 , V·里特维南科
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70033 , G01J1/0407 , G01J1/0418 , G01J1/26 , G01J1/429 , G02B1/06 , G02B5/205 , G02B26/023 , G03F7/70008 , G03F7/7055 , G03F7/70558 , G03F7/7085 , G21K1/10 , H01S3/005 , H01S3/0085 , H01S3/0903 , H05H7/04
摘要： 一种图案化光刻衬底的方法，该方法包括使用自由电子激光器(FEL)以产生EUV辐射并且输送EUV辐射至将EUV辐射投影至光刻衬底上的光刻设备(LA)，其中该方法进一步包括通过使用基于反馈的控制回路(CT)以监测自由电子激光器并相应地调整自由电子激光器的操作从而减少输送至光刻衬底的EUV辐射功率的波动。
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公开(公告)号：CN106717130A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201480081866.8
申请日：2014-09-12
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： G21K1/093 , A61N5/10 , A61N5/1081 , G21K1/087 , G21K1/10 , G21K5/04 , H05H7/001 , H05H7/04 , H05H13/04 , H05H2007/002 , H05H2007/005
摘要： 本发明目的是输送端部的粒子数变化平缓这样分布的带电粒子束而不会不必要地增大射束尺寸。将与带电粒子束前进方向垂直且从射束中心通过陡峭端部的方向设为x方向，射束输送系统(30)具备的射束整形装置(10)包括：将相对于射束的带电粒子的x方向前进方向的倾斜度即x角度分量(x’)的分布宽度减小的前级四极电磁体(3)；使通过前级四极电磁体(3)后的射束的x角度分量(x’)的粒子数分布的端部形状平缓的半影放大器(1)；对通过半影放大器(1)后的射束的x方向的相位空间分布中的电子感应加速相位进行调整的后级四极电磁体(4)，后级四极电磁体(4)将从半影放大器(1)向等中心(IC)的电子感应加速相位的相位提前角度调整在90度的奇数倍±45度的范围内。
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公开(公告)号：CN104221093B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201280072085.3
申请日：2012-03-29
申请人： 三菱电机株式会社
发明人： 片寄雅
CPC分类号： A61N5/1081 , A61N2005/1087 , A61N2005/109 , A61N2005/1094 , G21F3/00 , G21F7/00 , G21K1/02 , G21K1/093 , G21K1/10
摘要： 本发明的目的在于通过在旋转机架设置减少中子、伽马射线等穿透性高的放射线(二次放射线)的泄漏的屏蔽体，从而防止放射线从旋转机架漏出。本发明的旋转机架(10)的特征在于，在相对于照射对象(13)与粒子射线照射装置(58)相对的一侧具备屏蔽体(12)，该屏蔽体(12)可减少因带电粒子束(31)对照射对象(13)的冲击而产生的二次放射线的泄漏剂量。
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公开(公告)号：CN104641447B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201280075925.1
申请日：2012-09-21
申请人： 西门子公司
发明人： O.海德 , T.休格斯 , T.克卢格 , S.戈斯曼-莱夫楚克
IPC分类号： H01J35/08
CPC分类号： H01J35/108 , G21K1/10 , H01J35/06 , H01J35/08 , H01J2235/081 , H01J2235/086 , H01J2235/18
摘要： 用于生成X射线的阳极具有支架和由该支架所保持的靶层。在此该靶层包含有中间部分和边缘部分。该阳极设置用于遭受指向该靶层中间部分的电子束。在此该边缘部分关于电子束的方向而设置于该中间部分的横向旁边。另外该边缘部分在该电子束的方向上具有比该中间部分更大的厚度。
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公开(公告)号：CN106486330A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610739033.7
申请日：2016-08-26
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01J37/09 , H01J37/30 , H01J37/317 , G21K1/10
CPC分类号： G03F7/70008 , G03F7/70775 , H01J37/3171 , H01L21/0273 , H01L21/0465 , H01L23/544 , H01L29/0615 , H01L29/1608 , H01L29/36 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/8611 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01J37/09 , G21K1/10 , H01J37/30 , H01J37/317 , H01J2237/02 , H01J2237/30
摘要： 本发明涉及粒子辐照设备、束改性装置和包括结终端延伸区的半导体器件。束改性装置撞击到束改性装置(700)的暴露面(701)上的粒子从垂直方向偏离。粒子的总透过率沿着平行于暴露面(701)的侧向方向变化。(700)包括散射部(720)，在散射部(720)中，垂直
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公开(公告)号：CN102753099B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201180004847.1
申请日：2011-12-09
申请人： 东芝医疗系统株式会社
IPC分类号： A61B6/03
CPC分类号： A61B6/06 , A61B6/027 , A61B6/032 , A61B6/107 , A61B6/4078 , A61B6/542 , A61B6/547 , G21K1/02 , G21K1/10
摘要： X射线源；楔块，配置在所述X射线源和被检体之间，形成有遮挡X射线的一部分的遮挡物；楔块驱动部，使所述楔块的位置移动；以及系统控制部，在扫描执行期间中对所述楔块驱动部进行控制，从而控制所述楔块的位置。
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公开(公告)号：CN104246907B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201280072478.4
申请日：2012-04-19
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： A61N5/1042 , A61N5/1048 , A61N5/1077 , A61N5/1081 , A61N2005/1087 , A61N2005/1095 , G21K1/10 , G21K5/04
摘要： 在从圆形加速器射出的粒子射线的X方向的发射率较小、Y方向的发射率较大、且从照射嘴向照射目标照射该粒子射线的具备台架的台架型粒子射线照射装置中，照射嘴具备脊形过滤器，将以粒子射线射入照射嘴的位置上、圆形加速器的射出位置的X方向的发射率以及Y方向的发射率被分离从而保持各自的发射率的方式对粒子射线进行输送的台架的角度作为台架的基准角度，对脊形过滤器进行设置，使得在台架处于基准角度的状态下，保持了X方向的发射率的方向相对于与脊形过滤器的脊部垂直的方向倾斜规定角度。
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公开(公告)号：CN105976888A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610516217.7
申请日：2016-07-04
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要： 本发明涉及用于元器件电离辐照的X射线辐照方法，该方法涉及辐照装置是由X光管、准直器、限束板、低能散射滤片、电动三维平台、辐照平台、激光指示器、水循环进出口组成，该方法实现了X射线能量、剂量率连续可调、辐照束斑连续可调，且可以去除低能散射对辐照结果的影响，为元器件电离辐照提供较理想的条件。该方法将为元器件电离总剂量辐射效应研究及试验评估提供方便快捷、低成本的电离辐照条件，对提升电子元器件抗辐射加固的基础支撑能力具有重要意义。
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