一种基于OLED的光电传感器的垂直集成结构

    公开(公告)号:CN108735782A

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201810358409.9

    申请日:2018-04-19

    发明人: 王凯 许忆彤

    IPC分类号: H01L27/32

    摘要: 本发明公开了一种基于OLED的光电传感器垂直集成结构,包括驱动单个OLED像素单元的OLED驱动电路,所述OLED驱动电路包括多晶硅双栅薄膜晶体管,所述多晶硅双栅薄膜晶体管作为显示选址开关TFT与显示驱动TFT连接,所述多晶硅双栅薄膜晶体管的顶栅集成了使所述多晶硅双栅薄膜晶体管工作于亚阈值区域的光电传感器从而构成有源像素图像传感器,所述光电传感器设置于OLED像素单元的非显示区域中,所述多晶硅双栅薄膜晶体管设置于所述光电传感器的下方。通过垂直集成保持了OLED像素单元的开口率,不影响屏幕的显示性能,同时采用有源像素图像传感器对信号进行内部放大,提高了屏下进行光电探测的灵敏度和信噪比。

    一种基于OLED的光电传感器的垂直集成结构

    公开(公告)号:CN108735782B

    公开(公告)日:2021-10-19

    申请号:CN201810358409.9

    申请日:2018-04-19

    发明人: 王凯 许忆彤

    IPC分类号: H01L27/32

    摘要: 本发明公开了一种基于OLED的光电传感器垂直集成结构,包括驱动单个OLED像素单元的OLED驱动电路,所述OLED驱动电路包括多晶硅双栅薄膜晶体管,所述多晶硅双栅薄膜晶体管作为显示选址开关TFT与显示驱动TFT连接,所述多晶硅双栅薄膜晶体管的顶栅集成了使所述多晶硅双栅薄膜晶体管工作于亚阈值区域的光电传感器从而构成有源像素图像传感器,所述光电传感器设置于OLED像素单元的非显示区域中,所述多晶硅双栅薄膜晶体管设置于所述光电传感器的下方。通过垂直集成保持了OLED像素单元的开口率,不影响屏幕的显示性能,同时采用有源像素图像传感器对信号进行内部放大,提高了屏下进行光电探测的灵敏度和信噪比。

    一种高灵敏度绝对温度测量电路

    公开(公告)号:CN112033557A

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN202011039246.1

    申请日:2020-09-28

    申请人: 中山大学

    发明人: 王凯 许忆彤

    IPC分类号: G01K7/00

    摘要: 本发明公开了一种高灵敏度绝对温度测量电路,包括两个漏极和栅极短接薄膜晶体管、对两个薄膜晶体管进行偏置的电源,以及外接差分放大器;所述差分放大器的两个输入端分别与两个薄膜晶体管的栅源电压连接,对两个薄膜晶体管的栅源电压进行差分放大处理后输出。所述电源可以采用恒压源或恒流源,薄膜晶体管可以是单栅或双栅结构。该温度传感器电路抗干扰能力强、线性度好、灵敏度高、测温范围宽、生产工艺简单以及价格成本低。

    一种可随机读取的有源像素电路及其驱动方法

    公开(公告)号:CN111083399A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911378964.9

    申请日:2019-12-27

    申请人: 中山大学

    IPC分类号: H04N5/335

    摘要: 本发明公开了一种可随机读取的有源像素电路及其驱动方法,该有源像素电路包括:光电二极管、第一晶体管、第二晶体管、第一电源以及第二电源;所述第一电源与所述第二晶体管的漏极连接且通过所述二极管与所述第一晶体管的漏极连接,所述第一晶体管的漏极与所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的顶栅连接,所述第一晶体管的源极接地,所述第二晶体管的底栅与所述第二电源连接,所述第二晶体管的源极为信号输出端。本发明使可随机读取有源像素传感器电路的输出电流与二极管的光电流呈幂函数关系,而达到电路的输出信号和光强呈类线性关系,因此传感器的灵敏度和动态响应范围能同时得到优化。

    一种可随机读取的有源像素电路

    公开(公告)号:CN211378129U

    公开(公告)日:2020-08-28

    申请号:CN201922425983.4

    申请日:2019-12-27

    申请人: 中山大学

    IPC分类号: H04N5/335

    摘要: 本实用新型公开了一种可随机读取的有源像素电路,包括:光电二极管、第一晶体管、第二晶体管、第一电源以及第二电源;所述第一电源与所述第二晶体管的漏极连接且通过所述二极管与所述第一晶体管的漏极连接,所述第一晶体管的漏极与所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的顶栅连接,所述第一晶体管的源极接地,所述第二晶体管的底栅与所述第二电源连接,所述第二晶体管的源极为信号输出端。本实用新型使可随机读取有源像素传感器电路的输出电流与二极管的光电流呈幂函数关系,而达到电路的输出信号和光强呈类线性关系,因此传感器的灵敏度和动态响应范围能同时得到优化。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种高灵敏度绝对温度测量电路

    公开(公告)号:CN212391136U

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN202022179711.3

    申请日:2020-09-28

    申请人: 中山大学

    发明人: 王凯 许忆彤

    IPC分类号: G01K7/00

    摘要: 本实用新型公开了一种高灵敏度绝对温度测量电路,包括两个漏极和栅极短接薄膜晶体管、对两个薄膜晶体管进行偏置的电源,以及外接差分放大器;所述差分放大器的两个输入端分别与两个薄膜晶体管的栅源电压连接,对两个薄膜晶体管的栅源电压进行差分放大处理后输出。所述电源可以采用恒压源或恒流源,薄膜晶体管可以是单栅或双栅结构。该温度传感器电路抗干扰能力强、线性度好、灵敏度高、测温范围宽、生产工艺简单以及价格成本低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利