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公开(公告)号：CN105811889A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610247218.6
申请日：2016-04-20
申请人： 佛山臻智微芯科技有限公司
CPC分类号： H03F1/14 , H03F3/45695 , H03F2203/45028
摘要： 本发明公开一种前馈补偿式跨导运算放大器，包括差分第一增益级电路、差分第二增益级电路和前馈频率补偿电路，差分第一增益级电路与差分第二增益级电路串接后与前馈频率补偿电路并联。前馈频率补偿电路为折叠式共源共栅结构前馈频率补偿电路，该前馈频率补偿电路包括：共源共栅结构的PMOS管M3、NMOS管M1；共源共栅结构的PMOS管M6、NMOS管M4；PMOS管M2、M5以及提供尾电流的NMOS管M7、M8、M9。由于本发明采用折叠式共源共栅结构前馈频率补偿电路，来取代传统极点分离密勒补偿技术，保证了电路系统稳定的同时，大大提高了系统的带宽，没有使用电容，芯片的面积也大大缩小。
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公开(公告)号：CN105759886A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610247235.X
申请日：2016-04-20
申请人： 佛山臻智微芯科技有限公司
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开一种降低运放失调电压影响的基准电路，包括由负载电阻R1、R2和偏置电阻R3，工作在深度负反馈的运算放大器A1，晶体管Q1、Q2构成的传统的基准电路，还包括运放失调电压补偿电路，该补偿电路由构造相同的二极管电阻分流电路A和二极管电阻分流电路B构成，二极管电阻分流电路A与晶体管Q1并联，二极管电阻分流电路B与相串接的晶体管Q2、偏置电阻R3并联。由于本发明增设了运放失调电压补偿电路，利用了二极管电阻分流电路，可大大降低输出基准电压中运放失调电压的影响，提高了基准电压源的输出基准电压精度。
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公开(公告)号：CN105811889B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610247218.6
申请日：2016-04-20
申请人： 佛山臻智微芯科技有限公司
摘要： 本发明公开一种前馈补偿式跨导运算放大器，包括差分第一增益级电路、差分第二增益级电路和前馈频率补偿电路，差分第一增益级电路与差分第二增益级电路串接后与前馈频率补偿电路并联。前馈频率补偿电路为折叠式共源共栅结构前馈频率补偿电路，该前馈频率补偿电路包括：共源共栅结构的PMOS管M3、NMOS管M1；共源共栅结构的PMOS管M6、NMOS管M4；PMOS管M2、M5以及提供尾电流的NMOS管M7、M8、M9。由于本发明采用折叠式共源共栅结构前馈频率补偿电路，来取代传统极点分离密勒补偿技术，保证了电路系统稳定的同时，大大提高了系统的带宽，没有使用电容，芯片的面积也大大缩小。
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公开(公告)号：CN205509980U
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201620334245.2
申请日：2016-04-20
申请人： 佛山臻智微芯科技有限公司
摘要： 本实用新型公开一种前馈补偿式跨导运算放大器，包括差分第一增益级电路、差分第二增益级电路和前馈频率补偿电路，差分第一增益级电路与差分第二增益级电路串接后与前馈频率补偿电路并联。前馈频率补偿电路为折叠式共源共栅结构前馈频率补偿电路，该前馈频率补偿电路包括：共源共栅结构的PMOS管M3、NMOS管M1；共源共栅结构的PMOS管M6、NMOS管M4；PMOS管M2、M5以及提供尾电流的NMOS管M7、M8、M9。由于本实用新型采用折叠式共源共栅结构前馈频率补偿电路，来取代传统极点分离密勒补偿技术，保证了电路系统稳定的同时，大大提高了系统的带宽，没有使用电容，芯片的面积也大大缩小。
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公开(公告)号：CN205507602U
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201620334244.8
申请日：2016-04-20
申请人： 佛山臻智微芯科技有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本实用新型公开一种降低运放失调电压影响的基准电路，包括由负载电阻R1、R2和偏置电阻R3，工作在深度负反馈的运算放大器A1，晶体管Q1、Q2构成的传统的基准电路，还包括运放失调电压补偿电路，该补偿电路由构造相同的二极管电阻分流电路A和二极管电阻分流电路B构成，二极管电阻分流电路A与晶体管Q1并联，二极管电阻分流电路B与相串接的晶体管Q2、偏置电阻R3并联。由于本专利增设了运放失调电压补偿电路，利用了二极管电阻分流电路，可大大降低输出基准电压中运放失调电压的影响，提高了基准电压源的输出基准电压精度。
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