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公开(公告)号：CN109687829A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811559642.X
申请日：2018-12-19
申请人： 佛山臻智微芯科技有限公司
CPC分类号： H03F1/42 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F2200/451 , H03G3/3036
摘要： 本发明公开的宽带高功率高效率射频功率放大器结构，因所述放大器采用分布式结构可以实现宽带宽，采用两级分布式结构可实现较高的增益。输出级采用两个分布式放大器利用电抗性合成器组合在一起，从而实现高功率。
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公开(公告)号：CN109672418A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811556773.2
申请日：2018-12-19
申请人： 佛山臻智微芯科技有限公司
摘要： 本发明公布了一种采用前馈补偿的高增益运算放大器，包络差分第一增益级、增益自举式折叠共源共栅第二增益级、差动对式的前馈补偿电路；差分第一增益级和增益自举式折叠共源共栅第二增益级串联，同时差分对式的前馈补偿电路与第一、第二增益级并联。其中前馈补偿电路采用差动对式补偿电路，结构简单易于实现，而且代替传统的补偿电容形式，可以节约芯片面积，易于集成，另一面代替传统极点分离密勒补偿技术，保证电路稳定性的也大大提高了系统的带宽；其中的第二增益级采用的是增益自举式折叠共源共栅结构的误差放大器，在满足高增益的同时，也能有比传统的差分式电路更好的电源抑制比，而且输出电阻的增大使得主极点原来次极点，电路更加稳定。
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公开(公告)号：CN109672414A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811557912.3
申请日：2018-12-19
申请人： 佛山臻智微芯科技有限公司
摘要： 一种带有温度补偿的偏置电路结构。在说明书附图2中，提出一种结构简单，小型化，带有温度补偿的偏置电路结构。该结构为功率管的基极提供偏置电压，并能补偿温度变化引起的性能偏差。该偏置电路由射级跟随器类型的偏置电路和附加的温度补偿电路组成，当功率管的功率过大时，会导致周围温度升高，进而使得晶体管的基极-发射级电压随温度的改变发生变化，所述的温度补偿电路能补偿温度变化导致的电压变化，使电压处于趋于稳定的状态，从而达到补偿温度变化带来的性能偏差，提高电路的温度稳定性。
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公开(公告)号：CN109474245A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811556771.3
申请日：2018-12-19
申请人： 佛山臻智微芯科技有限公司
IPC分类号： H03F1/42
摘要： 本发明提出一种带低频增益补偿的宽带分布式放大器的电路结构，具有宽带放大特性；因所述分布式放大器附带低频增益补偿放大器，可以使放大器在更宽的频段内保持更优的增益平坦度等性能。
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公开(公告)号：CN109714011A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811591250.1
申请日：2018-12-20
申请人： 佛山臻智微芯科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种应用于第五代通信毫米波频段的28GHz的射频功率放大电路，该电路包含输入匹配电路，级间缓冲电路，末级功率输出级，级间匹配电路与输出谐波抑制匹配网络。输入匹配采用T型匹配结构，输入级采用共源放大器结构，静态偏置在A类工作状态，中间缓冲级与末级功率推动级静态偏置在B类工作状态提高效率，输出匹配网络采用谐波抑制网络结构。谐波抑制网络采用串联谐振结构使二次，三次，五次谐波对地短路，增加了效率，射频信号输出的线性度更高。射频输入信号经过前三级的PA进行功率放大，经过二次谐波抑制网络，宽带匹配网络，三次谐波抑制网络，五次谐波抑制网络，最后通过耦合电容到负载。
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公开(公告)号：CN109638400A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811573104.6
申请日：2018-12-21
申请人： 佛山臻智微芯科技有限公司
IPC分类号： H01P5/16
CPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明公开了一种宽隔离带的不等分功率分配器，其中，在说明书附图1中，提出一种宽带不等分功率分配器的微带线电路结构，在两节匹配传输线中间连接隔离传输和隔离电阻，从而能减少威尔金森功率分配器的级数，同时达到较宽的频带和较宽的隔离带，具有结构简单，制作方便等优点。在说明书附图2中，展示了实施例的性能。
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公开(公告)号：CN105811889B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610247218.6
申请日：2016-04-20
申请人： 佛山臻智微芯科技有限公司
摘要： 本发明公开一种前馈补偿式跨导运算放大器，包括差分第一增益级电路、差分第二增益级电路和前馈频率补偿电路，差分第一增益级电路与差分第二增益级电路串接后与前馈频率补偿电路并联。前馈频率补偿电路为折叠式共源共栅结构前馈频率补偿电路，该前馈频率补偿电路包括：共源共栅结构的PMOS管M3、NMOS管M1；共源共栅结构的PMOS管M6、NMOS管M4；PMOS管M2、M5以及提供尾电流的NMOS管M7、M8、M9。由于本发明采用折叠式共源共栅结构前馈频率补偿电路，来取代传统极点分离密勒补偿技术，保证了电路系统稳定的同时，大大提高了系统的带宽，没有使用电容，芯片的面积也大大缩小。
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公开(公告)号：CN106059523B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201610247207.8
申请日：2016-04-20
申请人： 佛山臻智微芯科技有限公司
摘要： 本发明属于移动通信技术领域，一种基于LC谐振电路的片上电容校正方法，包括开关电容阵列和逐次逼近逻辑控制电路，开关电容阵列与电感串联构成LC振荡电路，开关电容阵列的上端和电感的下端分别接交流电的输入端和输出端，开关电容阵列的上端接有第一检波器，电感的下端接有第二检波器，第一检波器和第二检波器的输出端接电压比较电路，电压比较电路连接逐次逼近逻辑控制电路，逐次逼近逻辑控制电路控制开关电容阵列的电容大小，本发明有益效果在于：利用LC震荡电路，对开关电容阵列进行校正，校正精度得到了提高，同时避免了对于电容充电的电流不恒定的问题。
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公开(公告)号：CN106059523A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610247207.8
申请日：2016-04-20
申请人： 佛山臻智微芯科技有限公司
CPC分类号： H03H1/02 , H03H7/0153 , H03H2210/025 , H03H2210/036 , H03H2210/043
摘要： 本发明属于移动通信技术领域，一种基于LC谐振电路的片上电容校正方法，包括开关电容阵列和逐次逼近逻辑控制电路，开关电容阵列与电感串联构成LC振荡电路，开关电容阵列的上端和电感的下端分别接交流电的输入端和输出端，开关电容阵列的上端接有第一检波器，电感的下端接有第二检波器，第一检波器和第二检波器的输出端接电压比较电路，电压比较电路连接逐次逼近逻辑控制电路，逐次逼近逻辑控制电路控制开关电容阵列的电容大小，本发明有益效果在于：利用LC震荡电路，对开关电容阵列进行校正，校正精度得到了提高，同时避免了对于电容充电的电流不恒定的问题。
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公开(公告)号：CN105897256A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610251514.3
申请日：2016-04-20
申请人： 佛山臻智微芯科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种实现锁相环快速锁定的结构，包括由相位比较器、环路滤波器、控制开关、压控振荡器、数字分频器顺序相连组成的锁相环，以及连接并调节控制所述压控振荡器、数字分频器和控制开关的控制模组；所述结构还包括与相位比较器相连的主振荡器，与所述数字分频器和控制模组相连的频率选择器，以及与所述控制模组相连的重置电路；本发明还提供一种通过上述结构实现锁相环快速锁定的方法，使得在不需要断开开关情况下，对锁相环进行自动频率校正，缩短了锁定时间，达到了快速锁定的目的；当工作频率的改变超过快捕带时，并不需要进行开环校正过程就可以捕捉到所需频率，实现了快速捕捉。
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