公开(公告)号：CN106498396B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201610954166.6

申请日：2016-11-03

申请人： 佳木斯大学

发明人： 李海涛 ,  荣守范 ,  李星逸 ,  孙鹏飞 ,  李俊刚 ,  董海 ,  朱永长 ,  孙建波

IPC分类号： C23C28/04

摘要： 镁合金表面低应力疏水复合TiSiCN薄膜的制备方法，涉及一种复合TiSiCN薄膜的制备方法。本发明是要解决现有镁合金表面硬度较低，不耐磨，易腐蚀的问题。方法：一、镁合金基体的前处理；二、镀膜前准备；三、制备二元TiSi过渡缓冲层；四、制备氮化物中间层；五、制备TiSiCN盖面层；六、将制备好的复合薄膜进行真空退火处理，得到致密均匀‑低应力‑疏水‑耐蚀性的复合TiSiCN薄膜。本方法将直流、射频和线圈结合应用在磁控溅射技术中，三者协同作用，相互取长补短，互相促进，磁控溅射持续稳定，制备的薄膜致密均匀，效果得到显著提高。本发明用于制备复合TiSiCN薄膜。

公开(公告)号：CN106498396A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610954166.6

申请日：2016-11-03

申请人： 佳木斯大学

发明人： 李海涛 ,  荣守范 ,  李星逸 ,  孙鹏飞 ,  李俊刚 ,  董海 ,  朱永长 ,  孙建波

IPC分类号： C23C28/04

CPC分类号： C23C28/042

摘要： 镁合金表面低应力疏水复合TiSiCN薄膜的制备方法，涉及一种复合TiSiCN薄膜的制备方法。本发明是要解决现有镁合金表面硬度较低，不耐磨，易腐蚀的问题。方法：一、镁合金基体的前处理；二、镀膜前准备；三、制备二元TiSi过渡缓冲层；四、制备氮化物中间层；五、制备TiSiCN盖面层；六、将制备好的复合薄膜进行真空退火处理，得到致密均匀-低应力-疏水-耐蚀性的复合TiSiCN薄膜。本方法将直流、射频和线圈结合应用在磁控溅射技术中，三者协同作用，相互取长补短，互相促进，磁控溅射持续稳定，制备的薄膜致密均匀，效果得到显著提高。本发明用于制备复合TiSiCN薄膜。