多层膜溅射设备及多层膜形成方法

    公开(公告)号:CN102216489B

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN200980138984.7

    申请日:2009-10-13

    发明人: 芝本雅弘

    IPC分类号: C23C14/34 G11B5/851

    摘要: 本发明提供一种溅射设备和一种使用该溅射设备的多层膜形成方法,所述溅射设备通过有效地使用靶以高生产率和较少的螺旋形状形成多层膜。多层膜溅射设备的实施方式包括:能转动的阴极单元(30),所述阴极单元(30)具有相对于转动中心被配置于同一圆周上的阴极(7a和7b)并且具有用于向各阴极供给电力的电力供给机构;传感器(14),其用于检测阴极的位置;以及转动机构,其用于使阴极单元(30)转动。

    成膜方法及成膜装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111542645B

    公开(公告)日:2022-07-26

    申请号:CN201780097973.3

    申请日:2017-12-27

    IPC分类号: C23C14/32 C23C14/24

    摘要: 一种成膜方法,在靶材的附近配置撞击器的放电部而诱发电弧放电,利用由此产生的等离子体在基板上形成膜,其中,包括:变更工序,将通过所述撞击器诱发电弧放电的位置在所述靶材的设定的区域中进行变更;成膜工序,利用通过在所述位置引起电弧放电而产生的等离子体,在基板上形成膜;以及缩小工序,根据所述靶材的使用而缩小所述区域。

    磁记录介质及其制造方法

    公开(公告)号:CN104885154B

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201380068621.7

    申请日:2013-12-18

    IPC分类号: G11B5/66 G11B5/84 G11B5/851

    摘要: 本发明提供能以高吞吐量生产将磁各向异性大的L10型的有序合金用于磁记录层、具有高矫顽力的磁记录介质的、磁记录介质及其制造方法。通过在用于提高包含具有L10型结构的有序合金的磁记录层的结晶性的取向控制层的下层设置具有面心立方结构的金属基底层,从而即使在使该取向控制层薄膜化时也能够形成具有充分的矫顽力的磁记录层,能够使主要由氧化物构成的取向控制层薄膜化,因此能够提高吞吐量。

    多层膜溅射设备及多层膜形成方法

    公开(公告)号:CN102216489A

    公开(公告)日:2011-10-12

    申请号:CN200980138984.7

    申请日:2009-10-13

    发明人: 芝本雅弘

    IPC分类号: C23C14/34 G11B5/851

    摘要: 提供一种溅射设备和一种使用该溅射设备的多层膜形成方法,所述溅射设备通过有效地使用靶以高生产率和较少的螺旋形状形成多层膜。多层膜溅射设备的实施方式包括:能转动的阴极单元(30),所述阴极单元(30)具有相对于转动中心被配置于同一圆周上的阴极(7a和7b)并且具有用于向各阴极供给电力的电力供给机构;传感器(14),其用于检测阴极的位置;以及转动机构,其用于使阴极单元(30)转动。

    氧化处理设备
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102011104A

    公开(公告)日:2011-04-13

    申请号:CN201010592323.6

    申请日:2008-12-26

    IPC分类号: C23C16/448

    摘要: 提供了一种氧化处理设备,其包括:真空室,其用于容纳待氧化的处理材料;汽化材料供给保持件,其上保持固态或液态的汽化材料,所述汽化材料供给保持件设置在所述真空室内,并且直接暴露在所述真空室内的气氛下;冷却器,其连接至所述汽化材料供给保持件,用于冷却所述汽化材料供给保持件;压力测量单元,其用于测量氧化蒸汽在所述真空室内的气氛下的压力;以及冷却器控制器,其响应所述压力测量单元测得的压力值,用于操作所述冷却器以控制所述汽化材料供给保持件的温度,使得所述真空室内的气氛下的氧化压力维持在预定值。

    基板处理设备以及磁记录介质制造方法

    公开(公告)号:CN101645275A

    公开(公告)日:2010-02-10

    申请号:CN200910161707.X

    申请日:2009-07-31

    IPC分类号: G11B5/84

    CPC分类号: G11B5/855

    摘要: 本发明提供了一种基板处理设备以及磁记录介质制造方法,该基板处理设备能够抑制经由基板相对布置的离子束产生器内部的相互污染和/或损坏。根据本发明实施例的基板处理设备包括向基板(W)的一个待处理表面照射离子束的第一离子束产生器以及向另一个待处理表面照射离子束的第二离子束产生器,其中,第一离子束产生器和第二离子束产生器经由基板(W)相对布置,并且第一离子束产生器的第一栅格以及第二离子束产生器的第二栅格的每一个中与基板(W)的开口相对应的区域封闭。

    使用蒸汽供给设备的基板加工

    公开(公告)号:CN101469410A

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:CN200810189212.3

    申请日:2008-12-26

    IPC分类号: C23C16/448

    摘要: 使用蒸汽供给设备的基板加工。该蒸汽供给设备包括:保持单元,该保持单元用于保持液体物质或固体物质;冷却部件,该冷却部件用于冷却保持单元;检测部件,该检测部件用于检测保持单元的温度;以及控制部件,该控制部件用于基于由检测部件检测到的温度控制所述冷却部件。在控制部件的控制下,利用冷却部件调整保持单元的温度,从而在供给液体物质或固体物质的蒸汽时控制液体物质或固体物质的蒸发或升华。设置用于测量液体物质或固体物质在水供给单元所处的气氛下蒸发或升华的蒸汽的压强的部件,控制部件基于测量到的压强控制保持单元的温度,使得蒸汽压强变成预定值。