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1.

发明授权
用于形成导电薄膜的溶液以及制造导电薄膜的方法和用途失效

公开(公告)号：CN1110832C

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN95115808.2

申请日：1995-08-01

申请人： 佳能株式会社

发明人： 松田宏 , 藤原良治

IPC分类号： H01J1/30 , H01J9/02 , C25D3/52

CPC分类号： G02F1/133711 , H01J1/316 , H01J9/027 , H01J2201/3165 , Y10T428/1005 , Y10T428/1009

摘要： 一种用于在衬底上形成导电薄膜的材料由金属和疏水及亲水成分组成。最好是，该材料包括由通式(R1COO)nM(NR2R3R4)表示的金属有机复合物，其中R1代表烷基，R2、R3和R4的每个代表氢原子、烷基或链烯基团，M代表金属元素，n和m中的每个都代表等于或大于1的整数。该材料可以用于制成电子发射器件的导电膜或制成液晶校正膜。

2.

发明公开
形成导电薄膜的材料，用其制成导电薄膜的方法以及用途失效

公开(公告)号：CN1131328A

公开(公告)日：1996-09-18

申请号：CN95115808.2

申请日：1995-08-01

申请人： 佳能株式会社

发明人： 松田宏 , 藤原良治

IPC分类号： H01B1/02

CPC分类号： G02F1/133711 , H01J1/316 , H01J9/027 , H01J2201/3165 , Y10T428/1005 , Y10T428/1009

摘要： 一种用于在衬底上形成导电薄膜的材料由金属和疏水及亲水成分组成。最好是，该材料包括由通式(R1COO)nM(NR2R3R4)表示的金属有机复合物，其中R1代表烷基，R2、R3和R4的每个代表氢原子、烷基或链烯基团，M代表金属元素，n和m中的每个都代表等于或大于1的整数。该材料可以用于制成电子发射器件的导电膜或制成液晶校正膜。

3.

发明公开
形成导电薄膜的材料,用其制成导电薄膜的方法以及用途失效

公开(公告)号：CN1379413A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN02108266.9

申请日：1995-08-01

申请人： 佳能株式会社

发明人： 松田宏 , 藤原良治

IPC分类号： H01B13/00 , H01B5/14 , H01J9/02 , G02F1/13

CPC分类号： G02F1/133711 , H01J1/316 , H01J9/027 , H01J2201/3165 , Y10T428/1005 , Y10T428/1009

摘要： 一种用于在衬底上形成导电薄膜的材料由金属和疏水及亲水成分组成。最好是,该材料包括由通式(R1COO)nM(NR2R3R4)表示的金属有机复合物,其中R1代表烷基,R2、R3和R4的每个代表氢原子、烷基或链烯基团,M代表金属元素,n和m中的每个都代表等于或大于1的整数。该材料可以用于制成电子发射器件的导电膜或制成液晶校正膜。