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公开(公告)号：CN108924444A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201811028460.X
申请日：2015-05-19
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了成像装置及其驱动方法。该成像装置包含其中布置有多个像素的像素阵列，该多个像素中的每一个都包含第一及第二光电转换单元以及收集到第一及第二光电转换单元的入射光的微透镜，在第一帧时间段内，从被包含于像素阵列的一部分中的多个像素读出基于第一光电转换单元中生成的信号电荷的第一信号以及基于在至少第二光电转换单元中生成的信号电荷的第二信号，并且在第二帧时间段内，从被包含于像素阵列的另一部分中的多个像素读出基于第一及第二光电转换单元中生成的信号电荷的第三信号。
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公开(公告)号：CN102065250A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201110029360.0
申请日：2008-12-19
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/374
CPC classification number: H04N5/3742 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开一种光电转换装置及图像拾取系统。光电转换装置包括：多个像素，各包括一个光电转换元件；放大器部分；第一信号存储部分，用于存储光学信号且具有多个组，每个组包含多个第一存储器；第二信号存储部分，用于存储噪声信号且具有多个组，每个组包含多个第二存储器；多条第一和第二信号线，分别一对一地连接到第一和第二信号存储部分的所述多个组；多个第一和第二开关，分别一对一地连接到所述多条第一和第二信号线；第三和第四信号线，分别连接到所述多个第一和第二开关；复位单元，用于对第三和第四信号线的电位进行复位；第三开关，用于一对一地连接所述多条第一信号线中的至少一条和所述多条第二信号线中的至少一条并控制其间的连接。
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公开(公告)号：CN102034838B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010288433.3
申请日：2010-09-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14831 , H01L27/14603
Abstract: 本发明涉及一种光电转换装置和一种成像系统。本发明的光电转换装置包括：被布置在基板上的多个光电转换元件；用于传送信号电荷的晶体管；和用于读出传送的信号电荷的多个晶体管。多个光电转换元件包含彼此相邻的第一光电转换元件和第二光电转换元件。本发明的光电转换装置包括：被布置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间的具有第一导电类型的第一半导体区域；和被布置在布置有多个晶体管的区域上并具有比第一导电类型的第一半导体区域的宽度大的宽度的具有第一导电类型的第二半导体区域。
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公开(公告)号：CN102256069A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110131305.2
申请日：2011-05-20
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 酒井诚一郎
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3745 , H04N5/3575 , H04N5/3765 , H04N5/378
Abstract: 一种固态成像设备，包括：信号线，信号从像素中的每一个被输出到所述信号线中的每一个；第一保持电容器，用于保持从信号线中的每一个输出的信号；排列在信号线和第一保持电容器之间的第一CMOS开关，所述第一CMOS开关中的每一个包括第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管；共同连接到第一CMOS开关的第一NMOS晶体管的栅极的第一控制线；和共同连接到第一CMOS开关的第一PMOS晶体管的栅极的第二控制线，并且，不同定时的信号被提供给第一控制线和第二控制线，使得关断第一NMOS晶体管的定时从关断第一PMOS晶体管的定时偏移。
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公开(公告)号：CN107564925B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201710497532.4
申请日：2017-06-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/367
Abstract: 公开了成像装置、成像系统和可移动物体。成像装置包括其中布置有各自包括光电转换器的多个像素的像素区域，该像素区域包括有效像素区域、覆盖有遮光膜的光学黑区域，以及布置在有效像素区域与光学黑区域之间的哑元像素区域。所述多个像素中布置在至少有效像素区域和光学黑区域中的像素各自包括布置在光电转换器上方的光波导。包括光波导的像素被布置在有效像素区域与光学黑区域之间以便彼此间隔开至少一个像素的节距。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107959809B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201710970493.5
申请日：2017-10-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/361
Abstract: 本发明提供一种图像传感器、摄像设备和图像传感器的控制方法。该图像传感器包括：像素部，用于输出像素信号；设置单元，用于根据拍摄条件来设置基准电压；比较器，用于将所述基准电压或者具有随着时间而变化的不同斜率的多个比较电压中的一个比较电压与所述像素信号进行比较；选择器，用于根据所述比较器在所述基准电压和所述像素信号之间的比较的结果来选择所述多个比较电压中的一个比较电压；以及计数器，用于在所述比较器将所述选择器所选择的比较电压与所述像素信号进行比较时，对直到所选择的比较电压和所述像素信号变得相等为止的时钟数进行计数。
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公开(公告)号：CN105100650B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201510255663.2
申请日：2015-05-19
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了成像装置及其驱动方法。该成像装置包含其中布置有多个像素的像素阵列，该多个像素中的每一个都包含第一及第二光电转换单元以及收集到第一及第二光电转换单元的入射光的微透镜，在第一帧时间段内，从被包含于像素阵列的一部分中的多个像素读出基于第一光电转换单元中生成的信号电荷的第一信号以及基于在至少第二光电转换单元中生成的信号电荷的第二信号，并且在第二帧时间段内，从被包含于像素阵列的另一部分中的多个像素读出基于第一及第二光电转换单元中生成的信号电荷的第三信号。
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公开(公告)号：CN105100650A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510255663.2
申请日：2015-05-19
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/3745 , H04N5/378
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/23212 , H04N5/341 , H04N5/343 , H04N5/3696 , H04N5/3741 , H04N5/37457
Abstract: 本发明公开了成像装置及其驱动方法。该成像装置包含其中布置有多个像素的像素阵列，该多个像素中的每一个都包含第一及第二光电转换单元以及收集到第一及第二光电转换单元的入射光的微透镜，在第一帧时间段内，从被包含于像素阵列的一部分中的多个像素读出基于第一光电转换单元中生成的信号电荷的第一信号以及基于在至少第二光电转换单元中生成的信号电荷的第二信号，并且在第二帧时间段内，从被包含于像素阵列的另一部分中的多个像素读出基于第一及第二光电转换单元中生成的信号电荷的第三信号。
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公开(公告)号：CN103151363B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310059322.9
申请日：2010-09-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14831 , H01L27/14603
Abstract: 本发明涉及光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统。本发明的光电转换装置包括：被布置在基板上的多个光电转换元件；用于传送信号电荷的晶体管；和用于读出传送的信号电荷的多个晶体管。多个光电转换元件包含彼此相邻的第一光电转换元件和第二光电转换元件。本发明的光电转换装置包括：被布置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间的具有第一导电类型的第一半导体区域；和被布置在布置有多个晶体管的区域上并具有比第一导电类型的第一半导体区域的宽度大的宽度的具有第一导电类型的第二半导体区域。
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公开(公告)号：CN102256069B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201110131305.2
申请日：2011-05-20
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 酒井诚一郎
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3745 , H04N5/3575 , H04N5/3765 , H04N5/378
Abstract: 一种固态成像设备，包括：信号线，信号从像素中的每一个被输出到所述信号线中的每一个；第一保持电容器，用于保持从信号线中的每一个输出的信号；排列在信号线和第一保持电容器之间的第一CMOS开关，所述第一CMOS开关中的每一个包括第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管；共同连接到第一CMOS开关的第一NMOS晶体管的栅极的第一控制线；和共同连接到第一CMOS开关的第一PMOS晶体管的栅极的第二控制线，并且，不同定时的信号被提供给第一控制线和第二控制线，使得关断第一NMOS晶体管的定时从关断第一PMOS晶体管的定时偏移。
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