放射线检测装置和放射线成像系统

    公开(公告)号:CN107238853B

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201710190956.6

    申请日:2017-03-28

    Abstract: 提供了一种放射线检测装置和放射线成像系统。该放射线检测装置包括外壳、布置成在外壳中彼此重叠的第一放射线成像面板和第二放射线成像面板,以及布置在第一放射线成像面板和第二放射线成像面板之间的放射线吸收部分。放射线吸收部分包括K吸收边处的能量不小于38keV且不大于60keV的第一构件。第一构件包括添加有包含从由镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒和铥构成的组中选择的至少一种元素的颗粒的树脂。

    放射线成像装置和放射线成像系统

    公开(公告)号:CN110869809B

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN201880045528.7

    申请日:2018-05-31

    Abstract: 本发明提供了一种放射线成像装置,该放射线成像装置包括:以二维阵列布置有多个转换元件并且透射光束的基板、布置在基板的第一面侧的第一闪烁体以及布置在与基板的第一面相对的第二面侧的第二闪烁体。多个转换元件包括多个第一转换元件和多个第二转换元件,多个第一转换元件被布置为接收来自第一闪烁体和第二闪烁体的光束,并且光屏蔽层被布置在第一闪烁体和多个第二转换元件中的每个第二转换元件之间,以便将来自第一闪烁体的多个第二转换元件的光量设置为小于来自第一闪烁体的第一转换元件的光量,并且多个第二转换元件被布置为接收来自第二闪烁体的光束。

    放射线摄像板、装置、系统和闪烁体片

    公开(公告)号:CN113933886A

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN202110789908.5

    申请日:2021-07-13

    Abstract: 本发明提供放射线摄像板、装置、系统和闪烁体片。所述放射线摄像板包括其上布置有各包括光电转换元件的多个像素的基板、布置在基板上的闪烁体、以及布置为覆盖闪烁体的保护层。闪烁体包括含有碱金属卤化物的多个柱状晶体。保护层包括树脂层,该树脂层含有添加有金属氧化物颗粒的树脂。从所述多个柱状晶体中的各个柱状晶体的顶点至树脂层的上表面的树脂层的厚度大于或等于10μm且小于30μm,并且树脂层中的颗粒浓度大于或等于0.15vol%且小于7.5vol%。

    放射线检测器和放射线检测系统

    公开(公告)号:CN102193104A

    公开(公告)日:2011-09-21

    申请号:CN201110040806.X

    申请日:2011-02-18

    CPC classification number: G01T1/202

    Abstract: 本发明涉及放射线检测器和放射线检测系统。放射线检测器包括:包含光检测器和外周电路的传感器面板,该光检测器包含在基板上布置的光电转换元件的二维阵列,所述外周电路与光电转换元件电连接并且被布置在光检测器的外周;闪烁体层,被布置在传感器面板的光检测器上,该闪烁体层将放射线转换成能够被光电转换元件检测的光;闪烁体保护部件,覆盖闪烁体层;和密封树脂,密封闪烁体层,所述密封树脂在闪烁体层的外周被设置在传感器面板和闪烁体保护部件之间,所述密封树脂被布置在外周电路的上方;并且,包含放射线吸收材料的颗粒被分散于密封树脂中。

    辐射检测设备、辐射成像设备和辐射成像系统

    公开(公告)号:CN1925162A

    公开(公告)日:2007-03-07

    申请号:CN200610128023.6

    申请日:2006-08-31

    Abstract: 根据本发明的辐射检测设备包括:包括设置在绝缘衬底上的开关元件和设置在开关元件上以将辐射或光转换为电载流子的转换元件的像素,其中开关元件和转换元件彼此连接,像素以矩阵的方式二维地设置在绝缘衬底上;与在绝缘衬底上在行方向上设置的多个开关元件公共地连接的栅极布线;与在列方向上设置的多个开关元件公共地连接的信号布线;以及设置在开关元件和转换元件之间的多个绝缘膜,其中栅极布线和信号布线中的至少一个被设置成置于多个绝缘膜之间。

    辐射图像摄像设备
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1748315A

    公开(公告)日:2006-03-15

    申请号:CN200480004078.5

    申请日:2004-02-10

    Abstract: 在包括把辐射转换成电信号的传感器元件和与传感器元件连接的薄膜晶体管的辐射图像摄像设备中,与薄膜晶体管连接的传感器元件的电极被置于薄膜晶体管之上,薄膜晶体管具有顶栅型结构,其中半导体层,栅极绝缘层和栅电极层依次层叠在衬底上,以致薄膜晶体管的沟道部分受栅电极保护,从而能够获得稳定的TFT特性,而不会因为由与来自传感器电极的输出对应的电势的波动导致的后栅极效应,不合需要地导通任何TFT元件,从而极大地提高图像质量。

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