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公开(公告)号：CN113322444A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110219949.0
申请日：2021-02-26
摘要： 本发明涉及吸附装置、成膜装置、吸附方法、成膜方法及电子器件的制造方法。使静电吸盘良好地吸附被吸附体。本发明的吸附装置的特征在于，具有：支撑单元，所述支撑单元支撑被吸附体的第一主面的周缘部，所述被吸附体具有所述第一主面和该第一主面的相反侧的第二主面；吸附部件，所述吸附部件从所述被吸附体的所述第二主面侧吸附所述被吸附体；以及多个推压构件，所述多个推压构件用于从所述被吸附体的所述第二主面侧推压所述被吸附体，所述多个推压构件分别配置在与所述被吸附体的所述第二主面具有的多个角部中的至少两个角部对应的位置。
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公开(公告)号：CN114318220A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111113640.X
申请日：2021-09-23
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C16/04 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L51/00 , H01L51/56
摘要： 本发明提供一种在抑制对蒸镀工艺的影响和吸附板的吸附力的降低的同时检测向吸附板吸附基板的吸附状态的成膜装置、基板吸附方法及电子器件的制造方法。成膜装置具备：吸附板，其吸附并保持基板；对准部件，其进行吸附于吸附板的基板与掩模的对准；成膜部件，其经由掩模在基板上成膜；以及检测部件，其设置于吸附板，检测与基板的接触。检测部件包括通过与基板接触而位移的触头。
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公开(公告)号：CN114318220B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202111113640.X
申请日：2021-09-23
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C16/04 , C23C16/458 , C23C16/52 , H10K71/00 , H10K71/16
摘要： 本发明提供一种在抑制对蒸镀工艺的影响和吸附板的吸附力的降低的同时检测向吸附板吸附基板的吸附状态的成膜装置、基板吸附方法及电子器件的制造方法。成膜装置具备：吸附板，其吸附并保持基板；对准部件，其进行吸附于吸附板的基板与掩模的对准；成膜部件，其经由掩模在基板上成膜；以及检测部件，其设置于吸附板，检测与基板的接触。检测部件包括通过与基板接触而位移的触头。
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公开(公告)号：CN114318219A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111113206.1
申请日：2021-09-23
摘要： 本发明提供一种抑制基板与掩模的对准的精度的降低的成膜装置、检测装置、检测方法及电子器件的制造方法。成膜装置具备：腔室，其将内部保持为真空；吸附板，其设置在腔室的内部，吸附基板；掩模台，其设置在腔室的内部，载置掩模；对准部件，其通过调整吸附于吸附板的基板和载置于掩模台的掩模在沿着基板的被成膜面的平面上的相对位置来进行对准；移动部件，其使吸附板相对于掩模台在与平面交叉的交叉方向上相对地移动；以及检测部件，其对载置于掩模台的掩模的交叉方向上的位置进行检测。
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公开(公告)号：CN114959586A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210174974.6
申请日：2022-02-25
摘要： 本发明涉及成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。使基板更可靠地吸附于吸附板。一种成膜装置，其特征在于，该成膜装置具备：腔室，其将内部保持为真空；吸附板，其设置于腔室的内部，具有产生用于吸附基板的静电力的电极；电压控制部件，其向电极施加第1电压和产生比施加第1电压的情况大的静电力的第2电压；以及检测部件，其检测基板向吸附板的吸附状态，在向电极施加第1电压而使吸附板吸附基板的状态下，在由检测部件检测到基板的一部分未吸附于吸附板的情况下，所述电压控制部件向电极施加第2电压。
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