公开(公告)号：CN209544284U

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201920193021.8

申请日：2019-02-13

申请人： 保定中创燕园半导体科技有限公司

发明人： 孙永健 ,  郭坚 ,  阎宇哲 ,  王光普 ,  谌洛 ,  贾军峰 ,  豆学刚 ,  莫少琼

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/40

摘要： 本实用新型公开了一种近单晶双层透明AlN陶瓷复合衬底，包括下层的近单晶AlN透明陶瓷基板和上层的AlN或GaN准单晶层；所述近单晶AlN透明陶瓷基板厚度为100—1000微米，晶胞直径在1-3微米，不含烧结助剂，且c轴取向偏差在10—20°以内；所述AlN或GaN准单晶层厚度为5—100微米，c轴取向偏差在5°以内。本实用新型复合衬底接近AlN单晶材料的性能，能够实现外延生长GaN单晶材料或器件或者AlN单晶材料或器件，翘曲变形小，热导率高；且制备该复合衬底的设备成本低，从而制造成本低，使6英寸和8英寸LED器件的生产成为可能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利