公开(公告)号：CN108502888B

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN201810156765.2

申请日：2018-02-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 岸亮太 ,  石田昌彦 ,  祢津茂义

IPC: C01B33/107 ,  C01B33/03 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供三氯硅烷的纯化系统以及硅晶体，所述三氯硅烷的纯化系统能够防止伴随高沸点化合物的转化而产生的加成物的解离所引起的再污染、平衡制约所引起的杂质残留。在多段式杂质转化工序中供给含有硅晶体中成为供体或受体的杂质的三氯硅烷。该三氯硅烷中的杂质在蒸馏辅助剂的存在下转化为高沸点化合物。多个杂质转化工序部(101～10n)串联连接，杂质转化工序部均具备来自前段部的三氯硅烷的接收部(a)、蒸馏辅助剂的导入部(b)、面向后段部的三氯硅烷的输出部(c)和将残余部分(高沸点化合物、蒸馏辅助剂、三氯硅烷残液)排出至该杂质转化工序部外的排放部(d)。

公开(公告)号：CN107867695A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710899771.2

申请日：2017-09-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 岸亮太 ,  石田昌彦 ,  祢津茂义

IPC: C01B33/107

CPC classification number: C01B33/10778 ,  B01D3/009 ,  B01D3/14

Abstract: 本发明涉及三氯硅烷的纯化系统和多晶硅的制造方法。本发明提供一种三氯硅烷的纯化技术，在由含有烃类的氯硅烷馏分纯化出高纯度三氯硅烷时，无需将大量的氯硅烷排出至体系外，并且也能够容易地进行反应控制。本发明中，为了使氯硅烷馏分中含有的烃类的分离变得容易，在纯化系统中设置通过热解进行低沸点化的工序。由此，在三氯硅烷的纯化循环中进行基于烃类的热解的低沸点化和分离，无需将大量的氯硅烷类排出至体系外。其结果，三氯硅烷的制造效率提高，也不会产生多晶硅的收率降低的问题。

公开(公告)号：CN108502888A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810156765.2

申请日：2018-02-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 岸亮太 ,  石田昌彦 ,  祢津茂义

IPC: C01B33/107 ,  C01B33/03 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供三氯硅烷的纯化系统以及硅晶体，所述三氯硅烷的纯化系统能够防止伴随高沸点化合物的转化而产生的加成物的解离所引起的再污染、平衡制约所引起的杂质残留。在多段式杂质转化工序中供给含有硅晶体中成为供体或受体的杂质的三氯硅烷。该三氯硅烷中的杂质在蒸馏辅助剂的存在下转化为高沸点化合物。多个杂质转化工序部(101～10n)串联连接，杂质转化工序部均具备来自前段部的三氯硅烷的接收部(a)、蒸馏辅助剂的导入部(b)、面向后段部的三氯硅烷的输出部(c)和将残余部分(高沸点化合物、蒸馏辅助剂、三氯硅烷残液)排出至该杂质转化工序部外的排放部(d)。