量子点的制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115362238A

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202180026031.2

    申请日:2021-03-02

    摘要: 本发明提供一种量子点的制造方法,所述量子点为结晶性纳米颗粒荧光体,所述制造方法中,使用含有彼此不同的元素的第一前驱体溶液及第二前驱体溶液,将第二前驱体溶液制成气溶胶并向已加热的第一前驱体溶液进行喷雾、或者将第一前驱体溶液及第二前驱体溶液分别制成气溶胶并向已加热的溶剂进行喷雾,由此使第一前驱体溶液与第二前驱体溶液进行反应,合成含有彼此不同的元素的核颗粒。由此,提供一种能够在大规模的合成中抑制量子点的粒径的不均匀性及伴随于此的发射波长的分布的增大的量子点的制造方法。

    研磨组合物以及研磨方法

    公开(公告)号:CN106687552A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201580047692.8

    申请日:2015-07-02

    发明人: 野岛义弘

    摘要: 本发明提供一种研磨组合物,其包含金属氧化物颗粒作为磨粒,所述研磨组合物的特征在于,作为所述金属氧化物颗粒,包含:在粉末X射线衍射图案中的衍射强度达到最大的峰部分的半值宽度不足1°的金属氧化物颗粒;进一步地,作为选择比调节剂,包含:2种以上的具有不同重均分子量的水溶性聚合物,该水溶性聚合物的不同重均分子量的比值为10以上。由此,提供一种研磨组合物以及使用该研磨组合物的半导体基板的研磨方法,所述研磨组合物维持高研磨速率,并能够抑制产生划痕、碟型凹陷、磨损等由研磨所引起的缺陷,并且能够任意地调节金属层与绝缘体层的研磨速度的比例即选择比。

    波长转换体及使用了该波长转换体的波长转换材料

    公开(公告)号:CN118541625A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202280073603.7

    申请日:2022-10-11

    摘要: 本发明涉及一种波长转换体,其中,作为半导体纳米颗粒,所述波长转换体包含将波长450nm的光转换为波长λ1nm的光的第一半导体纳米颗粒、与将波长450nm的光转换为波长λ2nm的光的第二半导体纳米颗粒,所述波长λ1及所述波长λ2满足λ1>λ2>450,对包含所述第一半导体纳米颗粒与所述第二半导体纳米颗粒的所述波长转换体照射波长为450nm且激发光量子数为N0的光时的波长λ1下的发光强度I1b、与对仅包含所述第一半导体纳米颗粒作为半导体纳米颗粒的波长转换体照射所述波长为450nm且激发光量子数为N0的光时的波长λ1下的发光强度I1a之间的关系满足I1a<I1b。由此,提供一种对蓝色光的吸收率及波长转换后的光提取效率得到提高的波长转换体。

    研磨组合物及其制造方法、以及研磨方法

    公开(公告)号:CN117264600A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311219029.4

    申请日:2016-05-06

    IPC分类号: C09K3/14 H01L21/304 B24B37/00

    摘要: 本发明是一种研磨组合物,其包含二氧化锆作为磨粒,所述研磨组合物的特征在于,pH值是11.0以上且未满12.5;前述二氧化锆中所包含的钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、铁、锰、镍、铜、锌、铅及钴的元素浓度各自未满1ppm。由此,提供一种研磨组合物,其可生产性良好地获得一种半导体基板,所述半导体基板不仅内周部的平坦性高,外周部的平坦性也高,并且由金属杂质所造成的污染少。