公开(公告)号：CN1579014A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN02821402.1

申请日：2002-10-25

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  罗代尔霓塔股份有限公司

Inventor： 桝村寿 ,  富井和弥 ,  伊藤荣直 ,  安在健一 ,  井上宪一

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B37/042 ,  B24B37/24 ,  Y10T428/249955

Abstract: 本发明提供一种有效防止晶片的外周塌边的晶片研磨方法及非常适合该晶片研磨方法的晶片研磨用研磨垫。在使树脂浸渍在无纺布中的研磨垫上，滑接晶片主面而进行镜面研磨的晶片研磨方法中，将上述研磨垫的表粗糙度和压缩率的比{表粗糙度Ra(μm)/压缩率(％)}设定在3.8以上进行研磨。

公开(公告)号：CN1299335C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN02821402.1

申请日：2002-10-25

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  罗代尔霓塔股份有限公司

Inventor： 桝村寿 ,  富井和弥 ,  伊藤荣直 ,  安在健一 ,  井上宪一

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B37/042 ,  B24B37/24 ,  Y10T428/249955

Abstract: 本发明提供一种有效防止晶片的外周塌边的晶片研磨方法及非常适合该晶片研磨方法的晶片研磨用研磨垫。在使树脂浸渍在无纺布中的研磨垫上，滑接晶片主面而进行镜面研磨的晶片研磨方法中，将上述研磨垫的表粗糙度和压缩率的比{表粗糙度Ra(μm)/压缩率(%)}设定在3.8以上进行研磨。