公开(公告)号：CN109314056B

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN201780036879.7

申请日：2017-06-08

Applicant: 信越石英株式会社

Inventor： 土田昭祯 ,  藤井纪和 ,  牧田佳纪

IPC: H01L21/31 ,  B24B19/02 ,  B24D5/00 ,  C03C19/00 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种暴露面积增大石英玻璃构件及其制造方法以及该方法中使用的多重外周刃刀片，该暴露面积增大石英玻璃构件与表面平坦的石英玻璃构件相比相对于成膜处理气体的暴露面积增大，并且增大暴露面积被控制为向表面的吸附量恒定。该暴露面积增大石英玻璃构件为在半导体基板的成膜处理中与被成膜处理的所述半导体基板一起载置于反应室内并暴露于成膜处理气体的成膜处理气体暴露用的石英玻璃构件，具有石英玻璃构件主体、在所述石英玻璃构件主体的表面形成的多个凹凸部，该暴露面积增大石英玻璃构件的相对于成膜处理气体的暴露面积被控制而增大。

公开(公告)号：CN109314056A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780036879.7

申请日：2017-06-08

Applicant: 信越石英株式会社 ,  株式会社福井信越石英

Inventor： 土田昭祯 ,  藤井纪和 ,  牧田佳纪

IPC: H01L21/31 ,  B24B19/02 ,  B24D5/00 ,  C03C19/00 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种暴露面积增大石英玻璃构件及其制造方法以及该方法中使用的多重外周刃刀片，该暴露面积增大石英玻璃构件与表面平坦的石英玻璃构件相比相对于成膜处理气体的暴露面积增大，并且增大暴露面积被控制为向表面的吸附量恒定。该暴露面积增大石英玻璃构件为在半导体基板的成膜处理中与被成膜处理的所述半导体基板一起载置于反应室内并暴露于成膜处理气体的成膜处理气体暴露用的石英玻璃构件，具有石英玻璃构件主体、在所述石英玻璃构件主体的表面形成的多个凹凸部，该暴露面积增大石英玻璃构件的相对于成膜处理气体的暴露面积被控制而增大。